[实用新型]集成电路霍尔效应测试装置及其测试平台有效
| 申请号： | 201520984363.3 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205157730U | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈爱兵;王秀军;胡进;张刚;王濬腾 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 215323 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 霍尔 效应 测试 装置 及其 平台 | ||
1.一种集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述集成电路霍尔效应 测试平台包括：
测试机台，所述测试机台包括基板；
测试底板；以及
霍尔效应测试装置，所述霍尔效应测试装置设置在所述测试底板中；
且其中所述霍尔效应测试装置包括：
屏蔽壳体，定义一测试区；
磁场线圈，经配置以产生磁场；所述磁场线圈设置于所述测试区 内；以及
测试座，经配置以承载待测试集成电路；所述测试座设置于所述 测试区内且为所述磁场线圈所环绕。
2.根据权利要求1所述的集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述 测试区外侧100mm之内的范围为磁场屏蔽区。
3.根据权利要求1所述的集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述 测试区外侧与所述测试机台的所述基板的间隔距离至少大于100mm。
4.根据权利要求1所述的集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述 测试座包含衬底和导电触片，所述导电触片设置于所述衬底之上。
5.根据权利要求1所述的集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述 集成电路霍尔效应测试平台更包括一支撑架体，所述支撑架体配置于所述 测试底板与所述测试机台的所述基板之间且支撑所述测试底板。
6.根据权利要求1所述的集成电路霍尔效应测试平台，其特征在于：所述 集成电路霍尔效应测试平台更包括多个导杆，所述多个导杆用以将所述待 测试集成电路推送或推离所述测试区。
7.一种集成电路霍尔效应测试装置，其特征在于，所述霍尔效应测试装置包 括：
屏蔽壳体，定义一测试区；
磁场线圈，经配置产生磁场；所述磁场线圈设置于所述测试区内；以及
测试座，经配置以承载待测试集成电路；所述测试座设置于所述测试区 内且为所述磁场线圈所环绕。
8.根据权利要求7所述的集成电路霍尔效应测试装置，其特征在于：所述测 试区外侧100mm之内的范围为磁场屏蔽区。
9.根据权利要求7所述的集成电路霍尔效应测试装置，其特征在于：所述磁 场线圈进一步连接电源线。
10.根据权利要求7所述的集成电路霍尔效应测试装置，其特征在于：所述测 试座包含衬底和导电触片，所述导电触片设置于所述衬底之上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体（昆山）有限公司，未经日月光半导体（昆山）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520984363.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低压断路器的检测设备
- 下一篇：一种光敏传感器的检测装置
