[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一区，包括绝缘体上硅型的衬底，所述绝缘体上硅型的衬底包 括在掩埋绝缘层上的半导体膜，所述掩埋绝缘层在载体衬底上；

第二区，包括所述载体衬底和所述掩埋绝缘层但是不存在所述半 导体膜；

第一晶体管，在所述第二区中，包括置于所述载体衬底上并且由 所述掩埋绝缘层的一部分形成的第一栅极电介质区域。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括 在所述第一区中的第二晶体管，所述第二晶体管包括置于所述半导体 膜上的第二栅极电介质区域，所述第二栅极电介质区域比所述第一栅 极电介质区域更薄。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述掩埋绝 缘层的所述一部分的厚度比所述绝缘体上硅型的衬底的所述掩埋绝 缘层的厚度更薄。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第二栅 极电介质区域由至少一层第一电介质材料形成，并且其中所述第一晶 体管进一步包括位于所述掩埋绝缘层的所述一部分上的所述至少一 层第一电介质。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第一电 介质材料是高相对介电常数的材料。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括： 在所述第二区中，具有置于所述载体衬底上并且由所述掩埋绝缘层的 另一部分形成的第二栅极电介质区域的第二晶体管，用于所述第一晶 体管的所述掩埋绝缘层的所述一部分和用于所述第二晶体管的所述 掩埋绝缘层的所述另一部分具有不同的厚度。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，位于所述第 二区中的所述第一晶体管是双栅极晶体管，包括：

通过所述掩埋绝缘层的所述一部分与所述载体衬底分离的浮置 栅极第一区域；以及

通过栅极电介质区域与所述浮置栅极第一区域分离的控制栅极 第二区域。

8.一种集成电路，其特征在于，包括：

绝缘体上硅型的衬底，包括在掩埋绝缘层上的半导体膜，所述掩 埋绝缘层在载体衬底上；

所述衬底的第一区域，包括用于第一晶体管栅极绝缘层的在所述 衬底的第一区域中的电介质层，所述电介质层置于所述半导体膜的顶 上；

所述衬底的第二区域，缺少所述半导体膜并且包括用于第二晶体 管栅极绝缘层的所述掩埋绝缘层的一部分，所述掩埋绝缘层的所述一 部分置于所述载体衬底的顶上；

用于第一晶体管的第一栅极电极，在所述第一晶体管栅极绝缘层 之上；以及

用于第二晶体管的第二栅极电极，在所述第二晶体管栅极绝缘层 之上。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：

用于所述第一晶体管的源极-漏极区域，包括在所述半导体膜上 的抬升外延结构；以及

用于所述第二晶体管的源极-漏极区域，包括在所述载体衬底中 的注入剂。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述电介质 层被定位在所述第二栅极电极与所述第二晶体管栅极绝缘层之间。