[实用新型]一种SC70双芯芯片框架有效

专利信息
申请号: 201520959830.7 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN205140957U 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;许兵;任伟;崔金忠 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 王芸;熊晓果
地址: 611731 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 sc70 芯片 框架
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种芯片承装架,特别是一种SC70双芯芯片框架。

背景技术

芯片框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用芯片框架,是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SC70双芯(SC是小型电子元器件的芯片封装单元型号,70表示单个芯片的封装尺寸为长2.05mm、宽1.3mm,双芯表示在单个的芯片安装单元上布置有两个芯片)时,由于该芯片封装的尺寸较大,要在相同的芯片框架尺寸布置更多的芯片,就需要对布置形式进行合理设计。

如目前的芯片框架产品,市场上的DFN251020排/1120粒芯片框架,每条该芯片框架有20排,每排上有56粒晶体管,该芯片框架长度为252mm,宽度为78mm,在芯片框架尺寸固定的情况下,只能排1120个封装芯片,这样排列产品密度低,导致生产效率低,生产成本高,是低利用率的产品。随着市场用量的增长,目前的设备和产品的设计生产力已经不能满足市场需要,需要提高产品的有效利用率,随着生产成本和劳力成本的提高,有必要通过技术改良降低生产成本。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于:针对现有芯片框架在框架尺寸固定的情况下存在对芯片的布置形式不合理的状况,导致芯片框架的利用率低的问题,提供一种SC70双芯芯片框架,该芯片框架布置合理,有效利用芯片框架的面积,使得其布置的芯片安装单元的密度大、降低综合成本。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种SC70双芯芯片框架,包括用于承装芯片的框架,所述框架长度为252mm,宽度为73mm,所述框架上布置有36列、18排单个的芯片安装单元,所述芯片安装单元的形状和尺寸与封装形式SC70双芯对应匹配,所述芯片安装单元上设置有两个用于安装芯片的芯片焊接部,使得该框架布置的芯片量为72列、18排,所述芯片安装单元的边与框架的边平行布置,在框架上还设置有与其宽度方向平行布置的多条分隔槽,多条所述分隔槽将框架分隔为两列芯片安装单元为一个单元的布置形式。

由于SC70双芯型号的芯片安装单元的尺寸可安装两个芯片,在芯片框架上布置36列、18排单个的芯片安装单元就可实现布置72列、18排芯片的目的,因此在框架尺寸固定的情况下,合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率,本框架每排可布置72个放置芯片的芯片安装单元,那么整个框架可布置72*18=1224个芯片,适应于该类尺寸较大的芯片安装,大大提高框架的利用率,有效利用芯片框架的面积,使布置的芯片安装单元的密度大、降低综合成本。

作为本实用新型的优选方案,所述芯片安装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,所述芯片安装单元的尺寸为长5.5mm、宽3.2mm。由于芯片安装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置,那么36列芯片安装单元所占用的框架长度尺寸为:36*5.5=198mm,远远小于框架的长度尺寸,以满足框架的分隔槽等结构的布置,宽度方面:18*3.2=57.6mm,也远远小于框架的宽度尺寸73mm,满足布置需求。

作为本实用新型的优选方案,每条分隔槽包括多个单元分隔槽,每个单元分隔槽的槽宽为0.3mm、长为5mm。

作为本实用新型的优选方案,同一单元内的芯片安装单元之间还设置有分隔定位孔,同一单元内的芯片安装单元之间的距离为1.4mm。设置于同一单元芯片安装单元之间的分隔定位孔用于芯片框架的定位加工或分割,结合单元分隔槽和分隔定位孔,等于是在每个芯片安装单元均设置了分割标准线,便于芯片的分割使用,分割操作简单方便、减少分割损伤。

作为本实用新型的优选方案,框架上的各个单元之间间隔1.4mm,靠近框架边缘的单元与边框的距离为0.8mm。这样布置后,总的芯片安装单元加上18个单元之间的间隔距离,以及36列芯片安装单元之间的距离和边框尺寸,占用的框架长尺寸为:198+17*1.4+18*1.4+2*0.8=248.6mm,小于253mm且刚好利用了框架长度尺寸,满足布置要求、利用率高。

综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520959830.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top