[实用新型]集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，并且更特别地涉及包括半导体电 阻器的集成电路。

背景技术

在例如硅的半导体衬底上的经扩散或注入的电阻器可能由于压 电电阻率现象而对机械应力敏感。因此，在集成电路(IC)中的增加 的应力可能导致电参数的增加的变化，而且会发生功能故障。例如， 硅和封装材料的导热系数的差异可能是引起几何变形的内部应力的 来源。此外，封装工艺和IC的封装体可能是IC上的应力的来源。

美国专利第7,437,260号公开了使用由一系列P掺杂电阻器和N 掺杂电阻器组成的半导体电阻器的特定布局，每个都是L形，而且其 中非常精确的所选固定比率可以理论地消除在给定温度下的平面应 力依赖性。一般来说，该所选固定缩放比率取决于温度和掺杂浓度。 然而，由于半导体制造工艺中的易变性，可能存在电阻器失配，而且 比率不可能非常精确，而必须根据温度修改。事实上，N掺杂和P掺 杂工艺是两个受易变性影响的不同的且连续的操作，所以不能实现非 常精确的缩放比率。

因而，由于在IC的工作时间期间的制造工艺易变性和温度变化， 可能特别需要获得对于缩放因子/比率的增强控制，以减小/消除平面 应力灵敏度。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于，提供一种改进的集成电路，以克服上 述现有技术中的问题。

集成电路可包括：半导体衬底，以及半导体电阻器。半导体电阻 器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L 形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域 相关联的调节元件。IC还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电 阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测 得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作 电阻。因此，应力例如平面应力可以被减小。

半导体电阻器还可包括在半导体衬底中的第二电阻性区域，例 如，该第二电阻性区域邻近阱，具有第一导电性类型，具有L形，并 耦合到第一电阻性区域。IC还可包括被耦合在第一电阻性区域与第二 电阻性区域之间的测试元件。

调节元件可包括在第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层 以及在绝缘层之上的导电层。例如，调节元件可包括在第一电阻性区 域的至少一部分之上的绝缘层以及在绝缘层之上的导电层。调节元件 还可包括在阱中的掺杂区域以及被耦合到掺杂区域的接触件，该掺杂 区域具有第一导电性类型并具有比阱更高的掺杂浓度。

IC还可包括在半导体衬底上并耦合到电阻补偿电路的温度传感 器。例如，电阻补偿电路可以被配置为基于温度传感器在调节元件处 产生电压。

电阻补偿电路可包括处理器以及耦合到处理器的存储器。存储器 可以被配置为存储至少一个电阻补偿值。例如，第一电阻性区域可具 有蜿蜒的形状。

根据本实用新型的一个方面，提供一种集成电路，包括：半导体 衬底；半导体电阻器，包括在所述半导体衬底中并具有第一导电性类 型的阱，在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域， 以及与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及电阻补偿电路， 在所述半导体衬底上并且被配置为测量所述第一电阻性区域的初始 电阻，以及基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压，以调节 所述第一电阻性区域的工作电阻。

根据本实用新型的另一个方面，提供一种集成电路，包括：半导 体衬底；多个半导体电阻器，每个半导体电阻器包括在所述半导体衬 底中并具有第一导电性类型的阱，在所述阱中具有L形和第二导电性 类型的第一电阻性区域，以及与所述第一电阻性区域相关联的调节元 件；以及温度传感器，在所述半导体衬底上；电阻补偿电路，在所述 半导体衬底上并被耦合至所述温度传感器，所述电阻补偿电路被配置 为测量每个第一电阻性区域的初始电阻，以及基于测得的初始电阻和 所述温度传感器在所述调节元件处产生电压，以调节每个第一电阻性 区域的工作电阻。

根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影 响的改进的集成电路。

附图说明

图1是根据本实用新型实施例的IC的示意性框图。

图2是图1的IC的示例性半导体电阻器的平面视图。

图3是图2沿线3-1的半导体电阻器的示意截面图。