[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

半导体电阻器，包括

在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱，

在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以 及

与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及

电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并且被配置为

测量所述第一电阻性区域的初始电阻，以及

基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压，以调节所述 第一电阻性区域的工作电阻。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述半导体电阻器进一步 包括在所述半导体衬底中的第二电阻性区域，所述第二电阻性区域邻近 所述阱、具有所述第一导电性类型、具有L形并且被耦合到所述第一电 阻性区域。

3.根据权利要求2所述的集成电路，进一步包括测试元件，所述测 试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述调节元件包括：

在所述第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及

在所述绝缘层之上的导电层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括：

在所述第一电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及

在所述绝缘层之上的导电层。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括：

在所述阱中的掺杂区域，所述掺杂区域具有所述第一导电性类型并 具有比所述阱更高的掺杂浓度；以及

被耦合到所述掺杂区域的接触件。

7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括在所述半导体衬底 上并且被耦合到所述电阻补偿电路的温度传感器；并且其中所述电阻补 偿电路被配置为基于所述温度传感器在所述调节元件处产生所述电压。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电阻补偿电路包括处 理器和与所述处理器耦合的存储器；其中所述存储器被配置为存储至少 一个电阻补偿值。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电阻性区域具有 蜿蜒的形状。

10.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

多个半导体电阻器，每个半导体电阻器包括

在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱，

在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以 及

与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及

温度传感器，在所述半导体衬底上；

电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并被耦合至所述温度传感器， 所述电阻补偿电路被配置为

测量每个第一电阻性区域的初始电阻，以及

基于测得的初始电阻和所述温度传感器在所述调节元件处产 生电压，以调节每个第一电阻性区域的工作电阻。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述多个半导体电阻器 中的每一个半导体电阻器进一步包括在所述半导体衬底中的第二电阻 性区域，所述第二电阻性区域邻近所述阱、具有所述第一导电性类型、 具有L形并且被耦合到所述第一电阻性区域。

12.根据权利要求11所述的集成电路，进一步包括测试元件，所述 测试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述调节元件包括：

在所述第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及

在所述绝缘层之上的导电层。

14.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述调节元件包括：

在所述第一电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及

在所述绝缘层之上的导电层。