[实用新型]用于LED外延生长的石墨承载盘及外延设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体外延生长技术领域，尤其涉及一种用于LED外延生长的石墨承载盘及外延设备。

背景技术

发光二极管（Light-EmittingDiode，LED）为一种固态半导体元件，其至少包含一P-N结，此P-N结形成于P型半导体与N型半导体之间。当于P-N上施予一定程度的偏压时，P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子会结合而发光，此光产生的区域称为发光区。

LED的主要特征在于尺寸小、发光效率高、寿命长、反应快速、可靠度高和色度良好，目前已广泛使用在显示、照明、汽车、植物照明等领域。

LED在制备过程中需要在衬底上外延生长多层外延层，以蓝宝石衬底为例，需将多片蓝宝石衬底放入外延炉中的石墨承载盘上，参图1所示为现有技术中石墨承载盘的外延布局结构示意图，石墨承载盘10’为圆形，直径为530mm，衬底也为圆形，直径为51mm，石墨承载盘上设有若干用于收容衬底的圆形收容部101’，每个收容部的直径为51mm，衬底可以放置于石墨承载盘上的收容部101’内，然后在外延炉中进行外延生长。

图1中，收容部呈蜂窝状相邻设置，每个收容部与相邻的收容部均相切设置，石墨承载盘的中心O位于正中心三个收容部的中心，以O为中心向外扩散，收容部可分为5层，其收容部的数量分别为3、9、15、21、21个，石墨承载盘上总共有69个收容部，能够同时收容69个衬底同时进行外延生长，其中，最外一层的收容部与石墨承载盘的侧边距离不同，且最外一层的收容部之间不是全部相邻设置，最外侧留有较大的间距，造成了石墨承载盘边缘区域的浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于LED外延生长的石墨承载盘及外延设备，其能够充分利用石墨承载盘的边缘区域，承载更多的衬底进行外延生长。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提供的技术方案如下：

一种用于LED外延生长的石墨承载盘，所述石墨承载盘上设有若干用于收容衬底的圆形的收容部，所述收容部包括由石墨承载盘中心向外扩散的若干层，第一层为一个收容部，石墨承载盘的中心与第一层中收容部的中心同心设置，收容部呈蜂窝状相邻设置，每个收容部与相邻的收容部均相切设置。

作为本实用新型的进一步改进，所述收容部除第一层和最外一层之外，每一层的收容部呈正六边形分布。

作为本实用新型的进一步改进，所述石墨承载盘的直径为530mm，每个收容部的直径为51mm，所述石墨承载盘上包括85个收容部。

作为本实用新型的进一步改进，所述收容部呈蜂窝状设置为六层。

作为本实用新型的进一步改进，所述收容部分为第一层至第六层，第一层至第六层收容部的数量分别为1、6、12、18、24、24个。

作为本实用新型的进一步改进，所述第五层的收容部呈正六边形分布，且每一边的外侧设有4个第六层中的收容部，第六层中的每个收容部均与第五层中每一边的两个收容部相切设置。

相应地，本实用新型还公开了一种外延设备，所述外延设备包括上述的石墨承载盘。

本实用新型的有益效果是：

石墨承载盘上设置有若干呈蜂窝状相邻设置的收容部，且石墨承载盘的中心设置有一个收容部，直径为530mm的石墨承载盘上能够设置85个直径为51mm的圆形收容部，大大减小了石墨承载盘边缘浪费的面积；

能够增加外延设备每一炉外延片的产量，大大提高了外延效率，降低了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中石墨承载盘的结构示意图。

图2为本实用新型一具体实施方式中石墨承载盘的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。