[实用新型]用于LED外延生长的石墨承载盘及外延设备有效
| 申请号： | 201520926682.9 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205092229U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘慰华;包广宏;陈伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 led 外延 生长 石墨 承载 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于LED外延生长的石墨承载盘，所述石墨承载盘上设有若干用于收容衬底的圆形的收容部，其特征在于，所述收容部包括由石墨承载盘中心向外扩散的若干层，第一层为一个收容部，石墨承载盘的中心与第一层中收容部的中心同心设置，收容部呈蜂窝状相邻设置，每个收容部与相邻的收容部均相切设置。
2.根据权利要求1所述的石墨承载盘，其特征在于，所述收容部除第一层和最外一层之外，每一层的收容部呈正六边形分布。
3.根据权利要求1所述的石墨承载盘，其特征在于，所述石墨承载盘的直径为530mm，每个收容部的直径为51mm，所述石墨承载盘上包括85个收容部。
4.根据权利要求3所述的石墨承载盘，其特征在于，所述收容部呈蜂窝状设置为六层。
5.根据权利要求4所述的石墨承载盘，其特征在于，所述收容部分为第一层至第六层，第一层至第六层收容部的数量分别为1、6、12、18、24、24个。
6.根据权利要求5所述的石墨承载盘，其特征在于，所述第五层的收容部呈正六边形分布，且每一边的外侧设有4个第六层中的收容部，第六层中的每个收容部均与第五层中每一边的两个收容部相切设置。
7.一种外延设备，其特征在于，所述外延设备包括权利要求1~6中任一项所述的石墨承载盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
