[实用新型]n型锗生长结构和半导体器件有效
| 申请号： | 201520886096.6 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN205211757U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周志文;叶剑锋;李世国 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 结构 半导体器件 | ||
1.一种n型锗生长结构，包括Si衬底和依次生长在所述Si衬底表面的 Si1-xGex缓冲层、Ge本征层、Si阻挡层和n型Ge掺杂层；其中，所述x为0 ＜x≤1。
2.根据权利要求1所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述Si阻挡 层为Si层、Si1-yGey层或交替生长的Si垒层/Si1-zGez量子阱层形成的Si/ Si1-zGez超晶格阻挡层；其中，所述0＜y≤0.3，所述0＜z≤0.5。
3.根据权利要求2所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述Si层的 厚度为5-20纳米。
4.根据权利要求2所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述Si1-yGey层的厚度为5-20纳米。
5.根据权利要求2所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述Si垒层 的厚度为5-20纳米；和/或
所述Si1-zGez量子阱层的厚度为5-10纳米。
6.根据权利要求2所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述Si/Si1-zGez超晶格阻挡层中的所述超晶格周期数为3-10。
7.根据权利要求1-6任一所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述n 型Ge掺杂层的厚度为50-200纳米。
8.根据权利要求1-6任一所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述 Ge本征层的厚度为50-2000纳米；和/或
所述Si1-xGex缓冲层的厚度为1微米以下。
9.根据权利要求1-6任一所述的n型锗生长结构，其特征在于：所述 Si1-xGex缓冲层中的x＝1，且所述Si1-xGex缓冲层的厚度为30-200纳米。
10.一种半导体器件，其特征在于：包括权利要求1-9任一所述的n型 锗生长结构。
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