[实用新型]一种MIS晶体硅太阳能电池有效
申请号: | 201520878065.6 | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN205122598U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mis 晶体 太阳能电池 | ||
1.一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极,Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置,所述隧穿层沉积在N+层上,所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。
2.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述隧穿层的厚度为0.5-2nm。
3.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述隧穿层为二氧化硅层或氮化硅层。
4.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al正电极由Al主栅线和Al副栅线组成,且Al主栅线与Al副栅线相互垂直。
5.如权利要求4所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al主栅线的根数为2-5根,Al副栅线的根数为90-120根。
6.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al正电极通过丝网印刷Al浆制成。
7.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述减反膜为SiNx:H膜,厚度为75-90nm,折射率为2.05-2.15。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的