[实用新型]一种MIS晶体硅太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201520878065.6 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN205122598U 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 申请(专利权)人: 广东爱康太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 代理人: 张伶俐
地址: 528100 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mis 晶体 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极,Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置,所述隧穿层沉积在N+层上,所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。

2.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述隧穿层的厚度为0.5-2nm。

3.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述隧穿层为二氧化硅层或氮化硅层。

4.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al正电极由Al主栅线和Al副栅线组成,且Al主栅线与Al副栅线相互垂直。

5.如权利要求4所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al主栅线的根数为2-5根,Al副栅线的根数为90-120根。

6.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述Al正电极通过丝网印刷Al浆制成。

7.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池,其特征在于,所述减反膜为SiNx:H膜,厚度为75-90nm,折射率为2.05-2.15。

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