[实用新型]低压差线性稳压器的过流保护电路及低压差线性稳压电源

说明书

技术领域

本申请涉及电路技术领域，特别是涉及一种低压差线性稳压器的过流保护电路及低压差线性稳压电源。

背景技术

电源是电子系统中非常重要的部分，由于LDO(LowDropoutVoltageRegulator，低压差线性稳压器)具有体积小、噪声小、输出波纹低、无电磁干扰且设计简单、外围元件少等优点，可以为输出负载提供稳定的电源电压，所以被广泛应用在各种电子系统中。

LDO的带负载能力是作为电源应用芯片的一个重要能力体现，当输出负载超过LDO的带负载能力即过负载时可能会造成LDO损坏。目前，为了防止由于过负载导致的LDO损坏，通常是在输出负载超过LDO的带负载能力时，由过流保护模块对LDO的最大输出电流进行限制，避免LDO由于过大的输出电流而造成过流损坏。

然而，当LDO工作在过负载状态下时，虽然LDO的最大输出电流会被限制为一个确定的值，但是LDO的功率会随着电源电压的增大而增大，从而LDO的温度也会随着电源电压的增大而升高。因此，当电源电压迅速增大时，容易使LDO的温度迅速升高而造成LDO的过热损坏。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种低压差线性稳压器的过流保护电路及低压差线性稳压电源，以避免由于电源电压迅速增大而造成的LDO过热损坏。

为了实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下：

一种低压差线性稳压器的过流保护电路，所述低压差线性稳压器包括运算放大器、功率管、第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述运算放大器的第一输入端与基准电压相连接，所述运算放大器的输出端与所述功率管的栅极相连接，所述功率管的漏极与所述第一反馈电阻的第一端相连接，所述第一反馈电阻的第二端分别与所述第二反馈电阻的第一端以及所述运算放大器的第二输入端相连接，所述第二反馈电阻的第二端接地，所述第一反馈电阻的第一端和所述第二反馈电阻的第二端为所述低压差线性稳压器的输出端，所述过流保护电路包括：

电流产生电路和限流电路；

所述限流电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻；

所述第一PMOS管的源极与电源电压相连接，所述第一PMOS管的栅极与所述功率管的栅极相连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接；

所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极及所述第二NMOS管的栅极相连接；

所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第一电阻的第一端以及所述第二PMOS管的栅极相连接；

所述第二PMOS管的源极与所述电源电压相连接，所述第二PMOS管的漏极与所述功率管的栅极相连接；

所述第一电阻的第二端与所述电源电压相连接；

所述电流产生电路用于产生随所述电源电压的升高而升高的跟随电流，并将所述跟随电流输出给所述限流电路中的所述第一NMOS管；

所述限流电路用于在所述低压差线性稳压器的输出电流超过预设阈值时根据所述跟随电流将所述输出电流限制为随所述电源电压的升高而降低的限制电流。

优选地，所述电流产生电路包括：

第三PMOS管MP1、第四PMOS管HVMP1、第五PMOS管HVMP2、第六PMOS管HVMP3、第七PMOS管HVMP4、第八PMOS管HVMP5、第九PMOS管HVMP6、第三NMOS管MNBN1、第四NMOS管HVMN1、第五NMOS管MN1、第二电阻R1、第三电阻R2、第四电阻R3、偏置电流源IBIAS；

所述第三PMOS管MP1的源极与所述电源电压相连接，所述第三PMOS管MP1的栅极与所述第三PMOS管MP1的漏极及所述第三NMOS管MNBN1的漏极相连接；

所述第三NMOS管MNBN1的栅极和漏极短接，所述第三NMOS管MNBN1的源极与所述第二电阻R1的第一端相连接，所述第二电阻R1的第二端与所述第四PMOS管HVMP1的源极相连接；

所述第四PMOS管HVMP1的漏极与所述偏置电流源IBIAS的一端相连接，所述偏置电流源IBIAS的另一端接地，所述第四PMOS管HVMP1的栅极与所述第四PMOS管HVMP1的漏极及所述第五PMOS管HVMP2的栅极相连接；

所述第五PMOS管HVMP2的漏极接地，所述第五PMOS管HVMP2的源极与所述第四NMOS管HVMN1的源极相连接；