[实用新型]低压差线性稳压器的过流保护电路及低压差线性稳压电源

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器的过流保护电路，所述低压差线性稳压器包括运算放大器、功率管、第一反馈电阻和第二反馈电阻，所述运算放大器的第一输入端与基准电压相连接，所述运算放大器的输出端与所述功率管的栅极相连接，所述功率管的漏极与所述第一反馈电阻的第一端相连接，所述第一反馈电阻的第二端分别与所述第二反馈电阻的第一端以及所述运算放大器的第二输入端相连接，所述第二反馈电阻的第二端接地，所述第一反馈电阻的第一端和所述第二反馈电阻的第二端为所述低压差线性稳压器的输出端，其特征在于，所述过流保护电路包括：

电流产生电路和限流电路；

所述限流电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻；

所述第一PMOS管的源极与电源电压相连接，所述第一PMOS管的栅极与所述功率管的栅极相连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接；

所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极及所述第二NMOS管的栅极相连接；

所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第一电阻的第一端以及所述第二PMOS管的栅极相连接；

所述第二PMOS管的源极与所述电源电压相连接，所述第二PMOS管的漏极与所述功率管的栅极相连接；

所述第一电阻的第二端与所述电源电压相连接；

所述电流产生电路用于产生随所述电源电压的升高而升高的跟随电流，并将所述跟随电流输出给所述限流电路中的所述第一NMOS管；

所述限流电路用于在所述低压差线性稳压器的输出电流超过预设阈值时根据所述跟随电流将所述输出电流限制为随所述电源电压的升高而降低的限制电流。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：

第三PMOS管MP1、第四PMOS管HVMP1、第五PMOS管HVMP2、第六PMOS管HVMP3、第七PMOS管HVMP4、第八PMOS管HVMP5、第九PMOS管HVMP6、第三NMOS管MNBN1、第四NMOS管HVMN1、第五NMOS管MN1、第二电阻R1、第三电阻R2、第四电阻R3、偏置电流源IBIAS；

所述第三PMOS管MP1的源极与所述电源电压相连接，所述第三PMOS管MP1的栅极与所述第三PMOS管MP1的漏极及所述第三NMOS管MNBN1的漏极相连接；

所述第三NMOS管MNBN1的栅极和漏极短接，所述第三NMOS管MNBN1的源极与所述第二电阻R1的第一端相连接，所述第二电阻R1的第二端与所述第四PMOS管HVMP1的源极相连接；

所述第四PMOS管HVMP1的漏极与所述偏置电流源IBIAS的一端相连接，所述偏置电流源IBIAS的另一端接地，所述第四PMOS管HVMP1的栅极与所述第四PMOS管HVMP1的漏极及所述第五PMOS管HVMP2的栅极相连接；

所述第五PMOS管HVMP2的漏极接地，所述第五PMOS管HVMP2的源极与所述第四NMOS管HVMN1的源极相连接；

所述第四NMOS管HVMN1的栅极与所述第四PMOS管HVMP1的源极相连接，所述第四NMOS管HVMN1的漏极与所述第六PMOS管HVMP3的漏极相连接；

所述第六PMOS管HVMP3的源极与所述电源电压相连接，所述第六PMOS管HVMP3的漏极与所述第六PMOS管HVMP3的栅极及所述第七PMOS管HVMP4的栅极相连接；

所述第七PMOS管HVMP4的源极与所述电源电压相连接，所述第七PMOS管HVMP4的漏极与所述第九PMOS管HVMP6的漏极及所述第一NMOS管HVMN2的漏极相连接；

所述第八PMOS管HVMP5的源极与所述电源电压相连接，所述第八PMOS管HVMP5的漏极与所述第八PMOS管HVMP5的栅极及所述第五NMOS管MN1的漏极及所述第九PMOS管HVMP6的栅极相连接，所述第九PMOS管HVMP6的源极与所述电源电压相连接；

所述第五NMOS管MN1的源极接地，所述第五NMOS管MN1的栅极与所述第三电阻的第一端及所述第四电阻的第一端相连接，所述第三电阻的第二端与所述第五PMOS管HVMP2的源极相连接，所述第四电阻的第二端接地。