[实用新型]低介电性胶膜有效
| 申请号： | 201520807430.4 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN205255668U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 | 申请（专利权）人： | 昆山雅森电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/34;B32B7/12;B32B33/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德;周雅卿 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低介电性 胶膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种低介电性胶膜，其特征在于：包括：
芯层(10)，所述芯层具有相对的上、下表面；
低介电胶层，所述低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层(21)和下低介电胶层(22)，所述上低介电胶层(21)和下低介电胶层(22)分别形成于所述芯层(10)的上、下表面；
离型层，所述离型层具有两层且分别为上离型层(31)和下离型层(32)，所述上离型层(31)形成于所述上低介电胶层(21)的表面，所述下离型层(32)形成于所述下低介电胶层(22)的表面。
2.如权利要求1所述的低介电性胶膜，其特征在于：所述芯层的厚度为5-50μm。
3.如权利要求1所述的低介电性胶膜，其特征在于：每层所述低介电胶层的厚度为10-75μm。
4.如权利要求1所述的低介电性胶膜，其特征在于：所述上低介电胶层、芯层和下低介电胶层三层的总厚度为25-200μm。
5.如权利要求1所述的低介电性胶膜，其特征在于：所述芯层为聚酰亚胺膜。
6.如权利要求1所述的低介电性胶膜，其特征在于：所述低介电胶层为热固型聚酰亚胺系胶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山雅森电子材料科技有限公司，未经昆山雅森电子材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520807430.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁屏蔽材料、磁屏蔽部件和磁屏蔽室
- 下一篇：热处理装置
