[实用新型]一种提高感应器电效率的线圈结构有效

专利信息
申请号: 201520784830.8 申请日: 2015-10-10
公开(公告)号: CN205037746U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 罗来卫;罗来军;梁兵乾;罗江 申请(专利权)人: 西安奥邦科技有限责任公司
主分类号: F27B14/14 分类号: F27B14/14;F27D11/06;F27D9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 感应器 效率 线圈 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及中频感应熔炼炉领域,具体涉及一种提高感应器电效率的线圈结构。

背景技术

中频感应熔炼炉在通电工作时,感应器线圈内会产生很强的交变磁场,磁场方向随频率的变化而变化,强磁场作用于线圈内的金属炉料产生涡流,使金属发热,甚至熔化。人们为了提高系统的总效率,除了提高热效率之外,电效率的提高也是一个很重要的组成部分。

以前人们在绕制感应器线圈时,线圈铜管缠绕在预先做好的圆柱形模具上,铜管一绕到底,形成螺旋形状,当线圈总长度、匝数一定时,在保证线圈匝间隙满足电绝缘的情况下,线圈铜管宽度都比较小,且在线圈的两端形成螺旋形结构,铜管距端面的距离在周向随时变化,给后期的炉衬打结带来不便,同时也使电效率有一定降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术存在的缺陷和不足,提供一种提高感应器电效率,方便炉衬耐火材料的打结的线圈结构。

为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:包括:由上至下依次设置的上水冷线圈、感应器线圈和下水冷线圈;所述上水冷线圈、感应器线圈和下水冷线圈均包括水平段线圈和快速上升段线圈,相邻两水平段线圈通过快速上升段线圈连接;所述快速上升段线圈与水平方向呈锐角设置;所述感应器线圈上对称设置有2个连接体,所述的2个连接体相邻的一端设置有用于连接水冷电缆的电缆接头。

所述上水冷圈和下水冷圈分别连接有一组水嘴,所述感应器线圈连接有若干组水嘴;所述水嘴包括进水水嘴和出水水嘴。

进一步的,所述连接体与感应器线圈的快速上升段线圈相连接。

进一步的,所述快速上升段线圈与水平方向呈锐角设置,所述锐角为5°~65°。

进一步的,所述上水冷圈、感应器线圈和下水冷圈外侧还设置有若干起固定作用的胶木立柱,所述胶木立柱沿线圈周向均匀分布。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益的技术效果:通过在感应器线圈的两侧分别设置上水冷线圈和下水冷线圈,并设置线圈结构为水平段线圈和与水平方向呈夹角设置的快速上升段线圈,将相邻两水平段线圈通过快速上升段线圈相连接,从而保证匝间隙的前提下增大线圈铜管的宽度,从而提高了感应器线圈的电效率,同时也避免了线圈两端螺旋形给后期炉衬的打结带来的不便。并且本实用新型线圈通水量大,使用性能可靠,能够满足生产使用要求。

进一步的,通过设置胶木立柱,使线圈结构整齐,保证线圈结构的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型整体结构示意图;

其中:1为上水冷线圈;2为水嘴;3为电缆接头;4为感应器线圈;5为胶木立柱;6为下水冷线圈;7为连接体;8为水平段;9为快速上升段。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述。

参加图1,本实用新型包括:由上至下依次设置的上水冷线圈1、感应器线圈4和下水冷线圈6;所述上水冷线圈1、感应器线圈4和下水冷线圈6均包括水平段线圈8和快速上升段线圈9,相邻两水平段线圈8通过快速上升段线圈9连接;所述快速上升段线圈9与水平方向呈锐角设置,锐角为5°~65°;所述感应器线圈4上对称设置有两个连接体7,所述的两个连接体7相邻的一端设置有用于连接水冷电缆的电缆接头3。连接体7设置在感应器线圈4的快速上升段线圈9部分,并与连接体7下方的线圈相接触。电缆接头3同时也与快速上升段线圈9相连接。

所述上水冷圈1和下水冷圈6分别连接有一组水嘴2,所述感应器线圈4连接有若干组水嘴;所述水嘴2包括进水水嘴和出水水嘴。上水冷圈1、感应器线圈4和下水冷圈6外侧还设置有若干起固定作用的胶木立柱5,所述胶木立柱5沿线圈周向均匀分布。

本实用新型的线圈结构可分为水平段线圈8和倾斜设置的快速上升段线圈9两部分,水平段线圈8沿周向平绕,然后通过倾斜快速上升段线圈9与相邻的下一段水平段线圈8相连接,从而在较小的弧度快速螺旋上升,就可以在保证匝间隙的前提下增大铜管宽度,从而提高了感应器线圈的电效率,同时也避免了线圈两端螺旋形给后期炉衬的打结带来的不便。

在制作时可提前将铜管烘烤柔软,斜拉铜管,将线圈铜管绕制成所需形状。本结构在铸造1.5吨熔炼炉项目上得到了成功的应用。

以上是对本实用新型的具体说明,本方案不仅仅局限在以上实施例中,针对在本方案发明构思下所做的任何改变都将落入本实用新型保护范围内。

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