[实用新型]AMR传感器

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及磁传感器，特别涉及一种AMR传感器。

【背景技术】

在传统工艺中，刻蚀会根据所要刻蚀的金属厚度以及光刻胶厚度来调整刻蚀量，为了能保证所要被刻蚀的金属刻蚀干净，一般会过刻蚀。一旦过刻蚀，就要损伤到下层金属。有些工艺的金属厚度由于技术需要会很薄，所以一旦过刻蚀很多，就会影响到最终器件的性能。例如，在AMR(AnisotropicMagnetoResistive)工艺中，MRS(MagnetoResistanceStrip)磁性薄膜材料是非常关键且薄膜厚度只有20nm左右，一旦后续BBP(BarBerPole)layer的干法刻蚀过刻的话，就会损伤到MRS的薄膜材料。

因此，有必要提出改进的AMR传感器的制造方法，以克服上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的之一在于提供一种改进的AMR传感器，其可以解决由于过刻而造成的MRS磁性薄膜材料损伤，导致最终器件性能受影响的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。

进一步的，所述磁阻条的厚度约为10-100nm。

进一步的，所述磁阻条的磁阻材料包括Ta和NiFe，所述绝缘条的绝缘材料包括SiN、SiO₂和AL₂O₃中的任意一种非导电材料，所述导电条的导电材料包括金属材料、非金属导电材料和合金中的任意一种。

进一步的，所述磁阻条呈三层结构，上层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm，中层的磁阻材料为NiFe，厚度为20nm，底层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm。

进一步的，所述绝缘条的高度低于所述导电条的高度。

与现有技术相比，本实用新型中在两层金属薄膜即磁阻条和导电条中间再垫积一层绝缘条，用作刻蚀的终止层次，残余的绝缘条也不会去除，充当绝缘层，换言之，由于刻蚀磁阻条的气体对于绝缘条的选择比很高，最终刻蚀会停留在绝缘条上面，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻条即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1a至图1g示出了本实用新型中的AMR传感器的制造方法中各步骤得到的产品的结构示意图；

图2示意出了本实用新型中的AMR传感器的制造方法在一个实施例中的流程示意图。

【具体实施方式】

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本实用新型至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连，间接电性相连是指经由另外一个器件或电路电性相连。

如图2所示，本实用新型提出了一种改进的AMR传感器，为了便于理解，现结合AMR传感器的制造方法200来讲解所述AMR传感器。图1a至图1g示出了本实用新型中的AMR传感器的制造方法200中各步骤得到的产品的结构示意图。下面结合图1a-1g和图2，来介绍一下本实用新型中的AMR传感器的制造方法200。所述AMR传感器的制造方法200包括如下步骤。

步骤210，提供一个基底110，如图1a所示。该基底可以是半导体圆片。

步骤220，在施加外部磁场的情况下，在所述基底110上沉积磁阻材料形成磁阻层120，即垫积生长MRS金属薄膜，如图1b所示。