[实用新型]AMR传感器有效
| 申请号： | 201520748582.1 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN205050876U | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋乐跃;沈佳;顾文斌 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 印苏华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amr 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种AMR传感器，其特征在于，包括：
基底；
形成于基底上的多个磁阻条；
形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；
填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；
其中每个磁阻条上设有若干个导电条。
2.根据权利要求1所述的AMR传感器，其特征在于，
所述磁阻条的厚度约为10-100nm。
3.根据权利要求1所述的AMR传感器，其特征在于，所述磁阻条的磁阻材料包括Ta和NiFe，所述绝缘条的绝缘材料包括SiN、SiO2和AL2O3中的任意一种非导电材料，所述导电条的导电材料包括金属材料、非金属导电材料和合金中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的AMR传感器，其特征在于，所述磁阻条呈三层结构，上层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm，中层的磁阻材料为NiFe，厚度为20nm，底层的磁阻材料为Ta，厚度为10nm。
5.根据权利要求1所述的AMR传感器，其特征在于，所述绝缘条的高度低于所述导电条的高度。
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