[实用新型]一种高隔离低驱动功率混频器有效
申请号: | 201520726978.6 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN205081761U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 赵天新 | 申请(专利权)人: | 成都九洲迪飞科技有限责任公司 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610000 四川省成都市高新区天府大道*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隔离 驱动 功率 混频器 | ||
技术领域
本实用新型混频器领域,特别是涉及一种高隔离低驱动功率混频器。
背景技术
高隔离低驱动功率混频器专门为高度表应用而设计,已有的混频器驱动功率大、本振泄露大、插损大的问题,直接影响测试灵敏度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种低本振驱动功率、高隔离度、低插损的混频器。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种高隔离低驱动功率混频器,包括依次连接的电桥合路单元、混频单元和滤波单元,电桥合路单元的射频端接收射频信号RF,电桥合路单元的本振端接收本振信号LO,滤波单元输出中频信号。
优选的,所述混频单元包括混频二极管。
优选的,所述滤波单元包括滤波器。
优选的,所述混频二极管包括SMS7630-079LF芯片。
优选的,所述滤波器包括C1608C0G1H5R6CT芯片。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提出了一种低本振驱动功率、高隔离度、低插损的混频器,包括依次连接的电桥合路单元、混频单元和滤波单元,解决现有的混频器驱动功率大、本振泄露大和插损大的问题,适用于高度表、防撞系统和无线探测等领域。
附图说明
图1为本实用新型高隔离低驱动功率混频器的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,一种高隔离低驱动功率混频器,包括依次连接的电桥合路单元、混频单元和滤波单元,电桥合路单元的射频端接收射频信号RF,电桥合路单元的本振端接收本振信号LO,滤波单元输出中频信号。输入射频信号RF和本振信号LO分别进入电桥的射频端和本振端,同时进入混频单元,再经滤波单元取出混频输出的下边带得到中频信号,输出最终差分中频信号,至后级处理模块。
优选的,所述混频单元包括混频二极管。
优选的,所述滤波单元包括滤波器。
优选的,所述混频二极管包括SMS7630-079LF芯片。
优选的,所述滤波器包括C1608C0G1H5R6CT芯片。
本实用新型的体积可以做得很小,可实现4.2GHz~4.4GHz信号下变频。
如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型的一种高隔离低驱动功率混频器。但是,本领域技术人员应当理解,对于上述本实用新型所提出的毫米波检波器,还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此,本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。
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