[实用新型]一种板式PECVD设备有效
| 申请号: | 201520719086.3 | 申请日: | 2015-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN204982045U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
| 发明(设计)人: | 袁中存;党继东;李栋 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 板式 pecvd 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片生产领域,特别是一种板式PECVD设备,用于硅片的PECVD镀膜工艺。
背景技术
太阳能是一种没有污染、使用方便的可再生能源,有效地利用太阳能己经成为人类的共识。在开发和利用太阳能的过程中,人们研制了太阳能电池,利用光伏效应直接把太阳能转化为电能。在太阳能电池中,晶体硅太阳能电池占市场主要分额。在制备晶体硅太阳能电池过程中,制备减反射膜是一个必不可少的工序。近几年来,氮化硅薄膜应用于晶体硅太阳能电池的减反射膜,它不仅具有减反射膜的作用,还能起到钝化作用,其成膜工艺、钝化及减反射性能受到了人们的重视。
目前,制备氮化硅薄膜主要采用等离子体增强化学气相沉淀(PECVD)的方法,其使用的设备主要有倒挂式PECVD设备和板式PECVD设备。其中,现有的板式PECVD设备主要包括用于承载硅片工装的石墨框和架于石墨框上的石墨碳板;所述石墨框一般呈长方形,其2条长边上设有多个支撑片,用来支撑石墨碳板;石墨碳板上设有多个承载硅片的方格孔1。硅片需要镀膜时,将硅片水平放置在石墨碳板的方格孔内,每一个方格孔内放置一片硅片5;参见图1~2所示;在石墨碳板的上方还设有特气管路。现有技术中,一根特气管路上设有22个孔,而一排石墨碳板上一般设有5个方格孔,各个方格孔内放置一片硅片,因而导致了每片电池片对应的特气孔的数量不一致,因而导致气体的分布不均匀,最终导致PECVD镀膜均匀性较差。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种板式PECVD设备。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种板式PECVD设备,包括石墨框、以及设于石墨框上方的特气管路;所述石墨框内设有复数个承载硅片的方格孔;所述特气管路上正对各个方格孔的特气孔的数量相同。
优选的,所述特气管路上正对各个方格孔的特气孔的数量为4~8个。
上述技术方案中,所述方格孔正对的特气孔呈直线排列结构。
与之对应的另一种技术方案,所述方格孔正对的特气孔呈上下错位排列结构。
优选的,所述相邻特气孔之间的错位间距为0.5~1.5mm。
上述技术方案中,所述特气管路上特气孔的数量为23~35个。
优选的,所述特气管路上特气孔的数量为30个。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1.本实用新型通过重新设计特气管路上特气孔的数量以及特气孔的分布方式,使得每片电池片的上方均匀的对应着数量相同的特气孔,使每片电池片得到的气体流量更加均匀,从而达到了改善电池片镀膜均匀性的目的;
2.本实用新型的结构简单,成本较低,适于推广应用。
附图说明
图1为背景技术中板式PECVD设备的结构示意图。
图2为背景技术中石墨框四周边缘的方格孔内放置硅片的侧视图。
图3为本实用新型实施例一的结构示意图。
图4为本实用新型实施例一中特气孔在一片硅片上方的分布示意图。
图5为本实用新型实施例二中特气孔在一片硅片上方的分布示意图。
其中:1、方格孔;2、石墨框;3、特气管路;4、特气孔;5、硅片。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一:
参见图3~4所示,一种板式PECVD设备,包括石墨框2、以及设于石墨框上方的特气管路3;所述石墨框内设有复数个承载硅片的方格孔1;所述特气管路上正对各个方格孔的特气孔4的数量相同。
所述特气管路上正对各个方格孔的特气孔的数量为4个。
所述方格孔正对的特气孔呈直线排列结构。
所述特气管路上特气孔的数量为34个。
实施例二:
参见图5所示,一种板式PECVD设备,其结构与实施例一相同,不同之处在于特气管路上特气孔的分布结构。参见图5所示,所述方格孔正对的特气孔呈上下错位排列结构;相邻特气孔之间的错位间距为0.8mm。
对比例一
采用背景技术中板式PECVD设备。
然后采用实施例一和对比例一的设备制备氮化硅薄膜,测试其均匀性,对比结果如下:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





