[实用新型]TO封装半导体激光器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体激光器，尤其是一种TO封装半导体激光器。

背景技术

激光显示和照明领域所用可见光激光光源有半导体泵浦固体激光器和半导体激光器两种。其中半导体激光器有单管LD、Bar条、和激光器阵列。现有的激光器阵列在较小的体积内集成了数十个发光芯片，形成了数十瓦的激光输出，适用于高亮度要求的投影照明等场合。现有激光器阵列大多采用蝶形封装方式，由于壳体为方形结构，在用于投影显示时与投影光路不容易实现同心，影响照明均匀性；且在封装平面内伸出了较长的接线柱，在实际使用过程中占用了较大的空间，同时，一般电路板是固定设于底座表面上的，通过焊接的方式将接线柱和电路板连接，电路板也占用了TO管座内大部分空间，不符合阵列光源减小体积的初衷；而且一般的激光器并无温度检测措施，不能检测COS芯片的温度，也就不能根据温度进行监测和调节。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是为了解决以上现有技术的不足，提供一种结构紧凑、可靠性强的TO封装半导体激光器，实现了半导体激光器体积小，便于封装，适用范围更广，并具备温度监控功能。

技术方案：本实用新型所述的TO封装半导体激光器，其目的是这样实现的：

一种TO封装半导体激光器，包括TO底座，所述TO底座上设有TO管，所述TO管的内部的TO底座表面上设有半导体激光器COS芯片，TO管的顶部设有用于密封激光器COS芯片的高通光窗口片，所述TO底座的内部设有电路板，所述COS芯片与电路板通过金线连接。

作为优化，所述TO底座为圆柱形，所述COS芯片的数量为多个，并且在TO底座的表面环形阵列排布，从而容易实现与投影光路的同心。

作为以上技术方案的一种优选方案，所述COS芯片通过共晶焊接的方式与TO底座连接。

作为以上技术方案的一种优选方案，所述高通光窗口片的表面镀有增透膜层，增透膜层的种类根据COS芯片的种类而定，增加了高通光窗口片的透光性。

作为优化，所述TO底座的内部还设有热电偶，用于检测COS芯片的温度，所述底座上设有传递温度信号的电接口。

有益效果：本实用新型所述的TO封装半导体激光器使用圆柱形TO底座，并且COS芯片在TO底座的表面环形阵列排布，从而容易实现与投影光路同心；电路板设置在TO底座内部，实现了TO管内部空间紧凑，便于封装；COS芯片通过共晶焊接的方式与底座连接，改善了固晶工艺；同时在TO底座的内部还设有热电偶，用于检测COS芯片的温度，可以根据温度进行监测和调节。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型TO底座及其表面布置结构示意图；

图3是本实用新型TO底座及其表面和内部布置机构示意图。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。

参见图1-3所示，一种TO封装半导体激光器，包括圆柱形的TO底座1，TO底座1上设有TO管2，TO管2的内部的TO底座1表面上通过共晶焊接的方式排布有半导体激光器COS芯片3，COS芯片3的数量为多个，并且在TO底座1的表面环形阵列排布，从而容易实现与投影光路的同心，TO管的顶部设有用于密封激光器COS芯片3的高通光窗口片4，高通光窗口片4的表面镀有增透膜层，增透膜层的种类根据COS芯片3的种类而定，增加了高通光窗口片4的透光性。加工时，TO底座1的内部布设电路板5，COS芯片3与电路板5通过金线6连接。TO底座1的内部还设有热电偶(图中未示)，用于检测COS芯片3的温度，所述TO底座1上设有传递温度信号的电接口7。

安装时，采用共晶焊接的方式将COS芯片3焊接在圆柱形的TO底座1表面上，并使多个COS芯片3环形阵列排布，焊接时保证COS芯片3与电路板5通过金线6连接。封装时，将TO管2套设在COS芯片3的外面，并与TO底座1连接。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。