[实用新型]电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及终端设备技术领域，尤其涉及一种电路。

背景技术

在手机等终端设备中，包含各种电路，其中有一种类型的电路由两个对称的器件组成，如图1所示，该电路包括第一开关管M1和第二开关管M2，第一开关管M1和第二开关管M2的控制端连接于该电路的输入端Input，第一开关管M1的第一端连接于高电平输入端VCC，第一开关管M1的第二端连接于该电路的输出端Output，第二开关管M2的第一端连接于低电平输入端VEE，第二开关管M2的第二端连接于该电路的输出端Output。例如，第一开关管M1为NPN型三极管，第二开关管M2为PNP型三极管，其工作过程为，当电路的输入端Input电压高于该电路的边界电压0.7V时，第一开关管M1导通，第二开关管M2截止，此时该电路的输出端Output电压为高电平输入端VCC的电压，当电路的输入端Input电压低于该电路的边界电压0.7V时，第一开关管M1截止，第二开关管M2导通，此时该电路的输出端Output电压为低电平输入端VEE的电压，该电路的输出端Output电压随着输入端Input电压变化而改变。

然而，在输入端Input电压的变化过程中，会出现第一开关管M1与第二开关管M2同时导通的状态，例如输入端Input电压等于该电路的边界电压0.7V时，第一开关管M1和第二开关管M2同时导通会导致很大的瞬时短路电流，从而增大了电路的功耗。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种电路，能够降低因输入端状态变化而引起的短路功耗。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

提供一种电路，包括：

第一开关管，其第一端连接于高电平输入端，其第二端连接于所述电路的输出端，其控制端连接于所述电路的输入端；

第二开关管，其第一端连接于低电平输入端，其第二端连接于所述电路的输出端，其控制端连接于所述电路的输入端；

阻抗模块，所述第一开关管的第二端通过所述阻抗模块连接于所述电路的输出端。

可选地，所述第一开关管和所述第二开关管为三极管。

具体地，所述第一开关管为NPN型三极管，所述第二开关管为PNP型三极管，所述第一开关管和所述第二开关管的第一端为集电极，所述第一开关管和所述第二开关管的第二端为发射极，所述第一开关管和所述第二开关管的控制端为基极。

可选地，所述第一开关管和所述第二开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

具体地，所述第一开关管为N型MOSFET，所述第二开关管为P型MOSFET，所述第一开关管和所述第二开关管的第一端为漏极，所述第一开关管和所述第二开关管的第二端为源极，所述第一开关管和所述第二开关管的控制端为栅极。

可选地，所述阻抗模块为第三开关管；

所述第三开关管的第一端连接于所述高电平输入端，所述第三开关管的第二端连接于所述电路的输出端，所述第三开关管的控制端连接于所述第一开关管的第二端。

可选地，所述第三开关管为MOSFET；

所述第三开关管为N型MOSFET，所述第三开关管的第一端为漏极，所述第三开关管的第二端为源极，所述第三开关管的控制端为栅极。

可选地，所述第三开关管为三极管；

所述第三开关管为NPN型三极管，所述第三开关管的第一端为集电极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的控制端为基极。

可选地，所述阻抗模块为二极管；

所述二极管的输入端连接于所述第一开关管的第二端，所述二极管的输出端连接于所述电路的输出端。

可选地，所述阻抗模块为电阻。

本实用新型提供的电路，通过在在第一开关管的第二端与输出端之间串联阻抗模块，使得在输入端对第一开关管和第二开关管进行控制的电压值不同，提高了在输入端对第一开关管进行控制的电压值，使得在输入端电压变化过程中，第一开关管和第二开关管不会同时导通，从而降低了因输入端状态变化而引起的短路功耗。

附图说明

图1为现有技术中一种电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中一种电路的结构示意图；

图3为本实用新型实施例中另一种电路的结构示意图；

图4为本实用新型实施例中另一种电路的结构示意图；

图5为本实用新型实施例中另一种电路的结构示意图。

具体实施方式