[实用新型]电路

权利要求书

1.一种电路，其特征在于，包括：

第一开关管，其第一端连接于高电平输入端，其第二端连接于所述电路的输出端，其控制端连接于所述电路的输入端；

第二开关管，其第一端连接于低电平输入端，其第二端连接于所述电路的输出端，其控制端连接于所述电路的输入端；

阻抗模块，所述第一开关管的第二端通过所述阻抗模块连接于所述电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述第一开关管和所述第二开关管为三极管。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，

所述第一开关管为NPN型三极管，所述第二开关管为PNP型三极管，所述第一开关管和所述第二开关管的第一端为集电极，所述第一开关管和所述第二开关管的第二端为发射极，所述第一开关管和所述第二开关管的控制端为基极。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

所述第一开关管和所述第二开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，

所述第一开关管为N型MOSFET，所述第二开关管为P型MOSFET，所述第一开关管和所述第二开关管的第一端为漏极，所述第一开关管和所述第二开关管的第二端为源极，所述第一开关管和所述第二开关管的控制端为栅极。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的电路，其特征在于，

所述阻抗模块为第三开关管；

所述第三开关管的第一端连接于所述高电平输入端，所述第三开关管的第二端连接于所述电路的输出端，所述第三开关管的控制端连接于所述第一开关管的第二端。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，

所述第三开关管为MOSFET。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，

所述第三开关管为N型MOSFET，所述第三开关管的第一端为漏极，所述第三开关管的第二端为源极，所述第三开关管的控制端为栅极。

9.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，

所述第三开关管为三极管。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，

所述第三开关管为NPN型三极管，所述第三开关管的第一端为集电极，所述第三开关管的第二端为发射极，所述第三开关管的控制端为基极。

11.根据权利要求1至5中任意一项所述的电路，其特征在于，

所述阻抗模块为二极管；

所述二极管的输入端连接于所述第一开关管的第二端，所述二极管的输出端连接于所述电路的输出端。

12.根据权利要求1至5中任意一项所述的电路，其特征在于，

所述阻抗模块为电阻。