[实用新型]一种采用复合磁路构造的电抗器有效

专利信息
申请号: 201520553481.9 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN204857391U 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 朱勇;张冲 申请(专利权)人: 深圳市高斯博电子科技有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 彭家恩;彭愿洁
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 采用 复合 磁路 构造 电抗
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电抗器,尤其涉及一种采用复合磁路构造的电抗器。

背景技术

随着智慧城市、三网融合、物联网技术的应用,通信、IT、汽车、家电、消费电子、新能源等市场的扩张,给变压器行业带来了庞大的市场需求。与其同时,伴随着电感变压器技术以轻量、高效、高密度、片式化等为发展目标,高频、低损耗、小尺寸和低价位的电感变压器将占有大量市场。

在传统的电感变压器制造行业里,如何选择电感变压器的核心组件部分-磁芯,是电感变压器设计要点之一。磁芯的选择,将直接影响电感或变压器的使用性能、可靠性及寿命等。目前比较常见的磁芯有RM型、E型、PQ型、EP型以及环形等。RM型磁芯利于散热和大尺寸的引线引出,但屏蔽效果较差;E型磁芯,制造成本低,绕制和组装简便,缺点就是不能提供自我屏蔽;而环形磁芯,与其他各种磁芯相比,费用最低,且屏蔽效果也好,但空间利用率低。由此可见,利用现有磁性制造高效、低损耗、可靠性良好的电感变压器显然是无法实现的,并且现有的电抗器结构导致其线圈制造与组员自动化程度低,生产工序复杂,更无法做到小型化。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种采用复合磁路构造的电抗器,该电抗器通过各位置采用不同的材料形成复合磁路,有效地降低磁漏及涡流损耗,并具有良好的散热性。

本实用新型的技术方案如下:

一种采用复合磁路构造的电抗器,包括内磁芯,及位于所述内磁芯表面的绕组,一用于收容所述内磁芯及绕组的外磁芯,所述外磁芯采用导热绝缘材料制备。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述外磁芯为上下开口的筒型结构。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述外磁芯与所述内磁芯之间填充有金属合金粉末。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述内磁芯两端部分别设有与所述内磁芯端面相适配的磁环,所述磁环与所述外磁芯构成封闭的磁路。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述磁环套接在所述内磁芯端部。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述磁环采用磁导率高于所述内磁芯的材料制备。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述磁环底面外缘通过点胶与所述内磁芯固定连接。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述内磁芯呈圆柱型,所述外磁芯为薄壁圆筒型。

所述的采用复合磁路构造的电抗器,其中,所述磁环边缘与所述外磁芯内壁之间设有用于所述绕组接线通过的空隙,所述空隙通过金属合金粉末填充。

本实用新型给出的采用复合磁路构造的电抗器,通过内磁芯及绕组收容于薄壁筒型的外磁芯内部,使绕组处于内外磁芯的包裹之中,有效地降低了漏磁,同时增加单位空间内的电感值,实现电抗器的小型化;外磁芯采用导热系数高的绝缘材料同时作为散热器来降低绕组内部温度;内磁芯与外磁芯之间的空隙采用合金金属粉末填充,使得内外磁芯之间气隙均匀化,达到降低漏磁与涡流损耗的目的,同时将绕组产生的热量传递给外磁芯,从而起到辅助散热的效果;电抗器整体结构设计不依赖手工操作,适合工业化的量化生产,可以提高生产效率的同时又降低了成本。

附图说明

图1是本实用新型一种采用复合磁路构造的电抗器较佳实施例的整体结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种采用复合磁路构造的电抗器,为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供的采用复合磁路构造的电抗器,如图1所示,包括圆柱形内磁芯1,内磁芯1表面的绕组2,以及收容内磁芯1及绕组2的外磁芯3。磁芯3采用导热绝缘材料制备的薄壁筒型结构,其两端各设有一开口。

较佳的,外磁芯3优选的设置为薄壁圆筒形,且外磁芯3选用导热性能好的绝缘材料制备,例如:铁基非晶FeSiB材料,内磁芯1设置成实心圆柱形。采用圆筒或圆柱结构的设计,及保持了其物理结构的稳定性,也不会损伤材料的电气性能。内磁芯1和外磁芯3也可以采用合金金属粉芯、铁氧体、片状的硅钢和非晶类材料中的一种或多种制备。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市高斯博电子科技有限公司,未经深圳市高斯博电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520553481.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top