[实用新型]一种采用复合磁路构造的电抗器有效
| 申请号： | 201520553481.9 | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204857391U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 朱勇;张冲 | 申请（专利权）人： | 深圳市高斯博电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 复合 磁路 构造 电抗 | ||
1.一种采用复合磁路构造的电抗器，包括内磁芯，及位于所述内磁芯表面的绕组，其特征在于，还包括一收容所述内磁芯及绕组的外磁芯，所述外磁芯采用导热绝缘材料制备。
2.根据权利要求1所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述外磁芯为上下开口的筒型结构。
3.根据权利要求1所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述外磁芯与所述内磁芯之间填充有金属合金粉末。
4.根据权利要求2所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述内磁芯两端部分别设有与所述内磁芯端面相适配的磁环，所述磁环与所述外磁芯构成封闭的磁路。
5.根据权利要求4所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述磁环套接在所述内磁芯端部。
6.根据权利要求4-5任意一项所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述磁环采用磁导率高于所述内磁芯的材料制备。
7.根据权利要求4所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述磁环底面外缘通过点胶与所述内磁芯固定连接。
8.根据权利要求2或4-5任意一项所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述内磁芯呈圆柱型，所述外磁芯为薄壁圆筒型。
9.根据权利要求4-5任意一项所述的采用复合磁路构造的电抗器，其特征在于，所述磁环边缘与所述外磁芯内壁之间设有用于所述绕组接线通过的空隙，所述空隙通过金属合金粉末填充。
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