[实用新型]一种防滴液刻蚀槽盖板有效
申请号: | 201520549437.0 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN204857676U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 梅超;隆霹显;陈志运;王世贤;张华;陈清波;杜教峰 | 申请(专利权)人: | 张家港国龙光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防滴液 刻蚀 盖板 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片刻蚀设备技术领域,特别涉及一种防滴液刻蚀槽盖板。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,“是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏,简称光伏,其核心部件是太阳能电池片,其制造过程分为制绒-扩散-刻蚀-PECVD镀膜-丝网印刷-测试分选。其中,刻蚀工序的作用去掉硅片背面和硅片侧面的PN结,达到正面与背面绝缘的目的。目前,RENAin-line式结构的设备是一种常用的湿法刻蚀设备。他是在HF/HNO3体系中,利用表面张力和毛吸作用力去除边缘和背面的PN结,正面未粘液,而使电池正面和背面绝缘。这种设备基本结构为:刻蚀槽-水喷淋槽-碱槽-水喷淋槽-去PSG槽-水喷淋槽-吹干。该设备在使用过程中表现出许多优异的性能。然而,目前RENA刻蚀设备在生产应用中,常会出现刻蚀槽盖板出现水汽凝结的现象。凝结的液滴会滴落在正在生产流通的硅片表面上,液滴滴落后在硅片上,发生腐蚀反应,导致硅片的外观不良甚至片子的PN结被破坏,片子必须返工造成产量下降和成本浪费。刻蚀盖板上凝结的水汽主要来源于刻蚀槽后的水喷淋槽。水在喷淋过程中会形成大量的水汽,尤其是在气温较高的夏季,水的温度要远远高于生产车间的温度,水的蒸汽分压也较大,大量的水蒸汽会进入到刻蚀槽中。而槽体盖板的温度是受车间的温度控制的,会低于进入槽体内的水蒸气的温度,当水蒸气遇到温度较低的盖板时就发生凝结。因此,盖板容易发生水蒸气凝结,这一问题一直困扰着相关工艺人员。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的是提供一种防滴液刻蚀槽盖板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种防滴液刻蚀槽盖板,包括中空的盖板、设置在所述盖板内的加热器,所述盖板内被导热板分割成上下两层,所述盖板底层设有加热器,所述盖板底层填充有导热硅脂,所述导热板顶面设有竖直的隔板,所述隔板将所述盖板顶层分隔成多个相通的型腔,所述隔板一端设有与所述型腔连通的进口,所述隔板另一端设有与所述型腔连通的出口,所述出口与刻蚀槽连通,所述出口设有进气温度传感器,所述盖板底面为拱形,所述盖板底面设有盖板传感器。
上述设计中在盖板底部设置加热器,利于保持盖板较高温度,防止水汽在盖板底部凝结;所述盖板内设置导热板和隔板便于将水汽中热量交换给盖板,节约能源,所述导热硅脂便于将热量更好的传递到盖板底部;所述盖板传感器和进气传感器进行竖直比对,便于控制加热器工作,节约能源且有效防止水滴凝结,所述拱形的盖板底面便于将凝结的水滴引流到盖板边缘,防止水滴滴落到硅片上。
作为本设计的进一步改进,所述盖板传感器至少两个且均匀分布在所述盖板底面,温度检测更加精准。
作为本设计的进一步改进,所述隔板为传热材质,便于换热。
作为本设计的进一步改进,所述盖板底层密闭,有效防止导热硅脂以及加热器腐蚀。
作为本设计的进一步改进,所述盖板顶层的顶面设有保温棉,防止热量散失,节约能源。
作为本设计的进一步改进,所述盖板底面边缘设有与刻蚀槽贴合的贴合面,所述贴合面内侧设有沿刻蚀槽内壁延伸的引流板,所述引流板便于将凝结的水滴引流进刻蚀槽。
作为本设计的进一步改进,所述盖板上设有贯穿所述盖板的观察窗,所述观察窗底部为球面,所述观察窗为实体透明材质,便于观察刻蚀槽内硅片刻蚀情况,不需要打开盖板观察。
本实用新型的有益效果是:本实用新型在盖板底部设置加热器,利于保持盖板较高温度,防止水汽在盖板底部凝结;所述盖板内设置导热板和隔板便于将水汽中热量交换给盖板,节约能源,所述导热硅脂便于将热量更好的传递到盖板底部;所述盖板传感器和进气传感器进行竖直比对,便于控制加热器工作,节约能源且有效防止水滴凝结,所述拱形的盖板底面便于将凝结的水滴引流到盖板边缘,防止水滴滴落到硅片上。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的整体结构示意图。
图2是本实用新型的局部结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造