[实用新型]一种delta形缺陷地结构有效

专利信息
申请号: 201520546053.3 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN204905386U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 喇东升;贾守卿;马雪莲 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203
代理公司: 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 代理人: 刘美莲;郭防
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 delta 缺陷 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种缺陷地结构,尤其是一种delta形缺陷地结构。

背景技术

众所周知,缺陷地结构是通过在接地板上刻蚀缺陷结构扰乱接地板上的电流分布,从而使得接地板上的等效电容和等效电感增加,因此缺陷地结构具有慢波特性和带阻特性,其中,慢波特性可以用来实现滤波器的小型化设计,带阻特性可以用来实现阻带滤波器设计;而缺陷地结构的带阻特性又取决于缺陷结构的形状和大小。

常用的缺陷地结构有M形、π形、U形及T形等,但是这些现有的缺陷地结构的带阻特征仍然有待提高,同时采用现有的缺陷地结构设计所得的阻带滤波器体积仍然较大,而且阻带滤波器的中心频率及带宽相互关联,调节其中一个中心频率时另一个中心频率也发生变化,调节其中一个带宽时另一个带宽也发生变化,无法实现独立调节;此外,利用现有的缺陷地结构设计所得的带阻滤波器的选择特性也有待进一步提高,因此,需要研究人员进一步探索研究新的缺陷地结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,提供一种delta形缺陷地结构,它可以有效解决现有技术中存在的问题,尤其是采用现有的缺陷地结构设计所得的阻带滤波器体积仍然较大,无法满足滤波器小型化要求的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型采用如下的技术方案:一种delta形缺陷地结构,缺陷地结构的接地板上刻蚀有δ形缺陷结构。

优选的,所述的δ形缺陷结构为δ形槽,包括A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线,所述的B槽线的两端分别与A槽线和C槽线的一端连接,D槽线的两端分别与E槽线的一端及C槽线的另一端连接,F槽线的两端分别与G槽线的一端及E槽线的另一端连接;所述的A槽线、C槽线、E槽线和G槽线之间相互平行,D槽线分别与B槽线和F槽线平行;所述的B槽线分别与A槽线和C槽线垂直,D槽线分别与C槽线和E槽线垂直,F槽线分别与E槽线和G槽线垂直。利用该δ形缺陷地结构最终制得的双频带带阻滤波器的选择特性较好,结构更紧凑,体积更小。

更优选的,所述的A槽线、C槽线和E槽线的长度相同;B槽线和F槽线的长度相同,从而可以使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小,选择性能较好,同时方便调节和分析。

本实用新型中,所述的A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均相等,从而使制备得到的双频带带阻滤波器的体积较小,选择性能较好,同时方便调节和分析。

前述的delta形缺陷地结构中,所述的A槽线、B槽线、C槽线、D槽线、E槽线、F槽线和G槽线的线宽均相同,通过调节接地板上的槽线线宽即可实现对阻带带宽的大小进行调节。

更优选的,所述的线宽为0.5mm,A槽线与C槽线之间的垂直距离、G槽线的另一端和D槽线之间的垂直距离、C槽线与G槽线之间的垂直距离以及G槽线与E槽线之间的垂直距离均为0.5mm,A槽线、C槽线或E槽线的长度为9mm,从而可以制备得到性能优良的双频带带阻滤波器,且该双频带带阻滤波器在第一个阻带中,从3.19GHz到3.41GHz,插入损耗小于-20dB,回拨损耗大于-0.9dB;在第二个阻带中,回拨损耗小于-30dB,回拨损耗大于-1dB;而且有三个反射零点,分别位于3.09GHz,4.65GHz和5.34GHz,因而选择性能非常好。

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