[实用新型]用于等离子体增强化学气相沉积的装置

说明书

技术领域

本公开案的各实施方式一般涉及一种具有远程等离子体清洁源的装置，所述远程等离子体清洁源耦接至腔室，使得来自所述等离子体的自由基进入所述腔室中设置于背板与所述扩散器之间的位置处。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)一般用来在基板(如半导体基板、太阳能面板基板、有机发光二极管(OLED)基板和液晶显示器(LCD)基板)上沉积薄膜。PECVD一般通过将前驱气体引入具有设置在基板支撑件上的基板的真空腔室中完成。

均匀性一般是使用PECVD工艺沉积的薄膜所期望的。例如，氮化硅膜通常使用PECVD沉积在平坦面板上，用作薄膜晶体管(TFT)中的钝化层或栅极电介质层。氮化硅膜质量和均匀性对于商业性的运作而言是重要的。

通常，其中发生PECVD的腔室需要清洁，因为氮化硅会堆积在暴露腔室部分上。为了清洁腔室，等离子体可以原位激发，或从远程等离子体清洁源递送至腔室。清洁等离子体可能在腔室中产生不期望的颗粒。

因此，本领域中需要可清洁而颗粒产生最小化的装置。

实用新型内容

本公开案的各实施方式提供一种具有远程等离子体清洁源的装置，其中所述远程等离子体清洁源将来自远程产生等离子体的自由基递送至腔室中设置于背板与扩散器之间的位置处。

在一个实施方式中，一种装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；区隔板组件，所述区隔板组件设置在所述腔室主体内，介于所述气体分布板与所述背板之间；以及远程等离子体清洁源，所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体，其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口，并且其中所述至少一个出口设置在所述气体分布板与所述区隔板组件之间。

在另一实施方式中，一种装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；第一区隔板，所述第一区隔板设置在所述气体分布板与所述背板之间；第二区隔板，所述第二区隔板设置在所述第一区隔板与所述背板之间；以及远程等离子体清洁源，所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体，其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口，并且其中所述至少一个出口设置在所述第一区隔板与所述第二区隔板之间。

在另一实施方式中，一种对处理腔室进行清洁的方法包括：在远离所述处理腔室的位置产生等离子体；将来自所述等离子体的自由基递送至所述处理腔室，其中所述自由基递送至所述处理腔室中设置于气体分布板与区隔板之间的位置处；递送惰性气体穿过背板到达所述处理腔室；以及使所述自由基和惰性气体流过气体分布板。

在另一实施方式中，一种对处理腔室进行清洁的方法包括：在远离所述处理腔室的位置产生等离子体；将来自所述等离子体的自由基递送至所述处理腔室，其中所述自由基递送至所述处理腔室中设置于第一区隔板与第二区隔板之间的位置处；递送惰性气体穿过背板到达所述处理腔室；以及使所述自由基和惰性气体流过气体分布板。

附图说明

因此，为了详细理解本公开案的上述特征结构的方式，上文简要概述的本公开案的更具体的描述可以参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅图示本公开案的典型实施方式，且因此不应被视为本公开案的范围的限制，因为本公开案可允许其他等效的实施方式。

图1示意性地示出根据本公开案的一个实施方式的PECVD腔室的截面侧视图。

图2是腔室的示意局部横截面图，该图示出远程等离子体清洁源在背板与喷淋头之间的位置处引入自由基。

图3A至图3B是根据一个实施方式的来自远程等离子体清洁源的出口的等距视图。

图4A至图4C是根据另一实施方式的来自远程等离子体清洁源的出口的等距视图。

图5是根据一个实施方式的区隔板和喷淋头的示意横截面图。

图6是根据另一实施方式的PECVD腔室的截面侧视图。

图7是示出PECVD腔室操作的流程图。

为了促进理解，已尽可能使用相同参考数字指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的要素和/或工艺步骤可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。

具体实施方式

本公开案的各实施方式提供一种具有远程等离子体清洁源的装置，其中所述远程等离子体清洁源将来自远程产生等离子体的自由基递送至腔室中设置于背板与扩散器之间的位置处。