[实用新型]用于等离子体增强化学气相沉积的装置有效
| 申请号: | 201520526997.4 | 申请日: | 2015-07-20 | 
| 公开(公告)号: | CN205088301U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 | 
| 发明(设计)人: | 栗田真一;R·L·蒂纳;S·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 | 
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/505 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 | 
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 等离子体 增强 化学 沉积 装置 | ||
1.一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置,所述装置包括:
腔室主体;
气体分布板,所述气体分布板设置在所述腔室主体中;
背板,所述背板设置在所述腔室主体中,并且与所述气体分布板分隔;
区隔板组件,所述区隔板组件设置在所述腔室主体内,介于所述气体分布板与所述背板之间;以及
远程等离子体清洁源,所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体,其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口,并且其中所述至少一个出口设置在所述气体分布板与所述区隔板组件之间。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个出口包括多个出口。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述多个出口设置在所述腔室主体的拐角处。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述多个出口另外设置在所述腔室主体的腔室壁的中间。
5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述多个出口设置在所述腔室主体的腔室壁的中间。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述区隔板具有第一流导率,并且所述气体分布板具有第二流导率,并且其中所述第二流导率大于所述第一流导率。
7.一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置,所述装置包括:
腔室主体;
气体分布板,所述气体分布板设置在所述腔室主体中;
背板,所述背板设置在所述腔室主体中,并且与所述气体分布板分隔;
第一区隔板,所述第一区隔板设置在所述气体分布板与所述背板之间;
第二区隔板,所述第二区隔板设置在所述第一区隔板与所述背板之间;以及
远程等离子体清洁源,所述远程等离子体清洁源耦接至所述腔室主体,其中所述远程等离子体清洁源具有在所述腔室主体中的至少一个出口,并且其中所述至少一个出口设置在所述第一区隔板与所述第二区隔板之间。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述至少一个出口包括多个出口。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述多个出口设置在所述腔室主体的拐角处。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述多个出口另外设置在所述腔室主体的腔室壁的中间。
11.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述多个出口设置在所述腔室主体的腔室壁的中间。
12.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述区隔板具有第一流导率,并且所述气体分布板具有第二流导率,并且其中所述第二流导率大于所述第一流导率。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





