[实用新型]半导体组件和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于包含：

具有表面的半导体衬底；

在所述半导体衬底上的掺杂碳的半导体材料的外延层，所述外延层具有表面，所述外延层具有碳掺杂分布；

在所述外延层上的成核层；和

在所述成核层上的III-氮化物材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述外延层包含掺杂碳的硅，所述掺杂碳的硅包含取代碳。

3.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，包含掺杂碳的硅的所述外延层具有100％的取代碳浓度。

4.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述掺杂碳的硅的碳浓度范围从0.01％到49.99％。

5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述碳掺杂分布具有梯度的浓度分布。

6.根据权利要求5所述的半导体组件，其特征在于，所述碳的所述梯度的浓度分布从所述外延层的表面延伸第一距离到所述外延层内。

7.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述碳掺杂分布包括与所述外延层的所述表面相邻的尖峰的浓度分布。

8.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，碳掺杂分布是与所述外延层和所述成核层之间的界面相邻的尖峰的浓度分布。

9.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述外延层被掺杂碳，使得所述碳具有被配置为多个掺杂层的浓度分布。

10.一种半导体器件，其特征在于包含：

半导体材料；

在所述半导体材料上的掺杂碳的外延层，所述掺杂碳的外延层具有碳掺杂分布；

在所述掺杂碳的外延层上的成核层；和

在所述成核层上的缓冲层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述成核层包含在所述掺杂碳的外延层上的氮化铝层。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂碳的外延层具有碳掺杂分布均匀的部分。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂碳的外延层具有包括梯度部分和均匀部分的碳掺杂分布。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂碳的外延层具有包括多个掺杂物层的碳掺杂分布。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述成核层包含掺杂碳的成核层。

16.一种半导体组件，其特征在于包含：

第一传导性类型的硅半导体衬底；

在所述硅半导体衬底上的掺杂碳的外延层；

在所述掺杂碳的外延层之上的缓冲层；和

在所述缓冲层上的沟道层。

17.根据权利要求16所述的半导体组件，其特征在于，所述掺杂碳的缓冲层具有选自包含了恒定的、梯度的、恒定部分和梯度部分以及条带的杂质材料分布的组中的杂质材料分布。

18.根据权利要求16所述的半导体组件，其特征在于，进一步包括在所述掺杂碳的外延层和所述缓冲层之间的成核层。

19.根据权利要求16所述的半导体组件，其特征在于，

所述成核层包含氮化铝；

所述缓冲层包含III-氮化物材料；并且

所述沟道层包含氮化镓。

20.根据权利要求16所述的半导体组件，其特征在于，进一步包括所述沟道层上的应变层，所述应变层包含氮化铝镓。