[实用新型]具有场板的半导体部件

权利要求书

1.一种具有场板的半导体部件，包括：

半导体材料，具有表面；

介电材料层，位于半导体材料上方；

第一电极，延伸通过介电材料层的第一部分并且与半导体材料的第一部分接触，第一电极具有第一侧壁和第二侧壁，其中第一侧壁被构造为场板的一部分；和

第二电极，延伸通过介电材料层的第二部分并且与半导体材料的第二部分接触。

2.如权利要求1所述的半导体部件，其中所述第一电极的第一侧壁具有第一阶梯，第一阶梯具有第一阶梯距离，并且第一电极的第二侧壁具有第二阶梯，第二阶梯具有第二阶梯距离，第一阶梯距离大于第二阶梯距离。

3.如权利要求2所述的半导体部件，其中所述第一电极的第一侧壁具有第三阶梯，第三阶梯具有第三阶梯距离，第二阶梯距离大于第三阶梯距离。

4.如权利要求3所述的半导体部件，其中

所述第一电极的第二侧壁具有第四阶梯，第四阶梯具有第四阶梯距离；

第一电极的第二侧壁具有第五阶梯，第五阶梯具有第五阶梯距离；并且

第一电极的第二侧壁具有第六阶梯，第六阶梯具有第六阶梯距离，第四阶梯距离、第五阶梯距离和第六阶梯距离是相同距离并且小于第一阶梯距离。

5.如权利要求3所述的半导体部件，其中第二电极具有T形。

6.如权利要求1所述的半导体部件，其中所述第一电极具有有着第一宽度的第一部分和有着第二宽度的第二部分，第二宽度大于第一宽度。

7.如权利要求1所述的半导体部件，其中所述半导体材料包括：

半导体衬底；

成核层，位于半导体衬底上；

缓冲区域，位于成核层上方；

沟道层，位于缓冲区域上方；和

应变层，位于沟道层上方。

8.如权利要求7所述的半导体部件，其中所述缓冲区域包括被构造为缓冲区域的一个或多个III-N材料层。

9.一种半导体部件，包括：

半导体材料，其中所述半导体材料包括多个层，所述多个层包括具有表面的应变层；

第一介电材料层，位于应变层上；

第一接触部，延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触；和

第二接触部，延伸通过第一介电材料层并且与应变层接触，其中第一接触部具有朝着第二接触部延伸并且用作场板的部分。

10.如权利要求9所述的半导体部件，其中所述第一接触部具有多个不对称阶梯并且第二接触部具有对称阶梯。

11.如权利要求10所述的半导体部件，其中具有所述多个不对称阶梯的所述第一接触部包括：

第一部分，具有第一侧向维度；

第二部分，具有第二侧向维度，第二部分沿垂直方向与第一部分相邻并且第一侧向维度大于第二侧向维度；和

第三部分，具有第三侧向维度，第三部分沿垂直方向与第二部分相邻，其中第二侧向维度大于第三侧向维度。

12.如权利要求11所述的半导体部件，其中所述第一接触部具有多个不对称阶梯并且第二接触部具有T形。

13.如权利要求10所述的半导体部件，其中所述第一接触部具有第一和第二相对侧壁，第一相对侧壁具有倾斜形状。

14.如权利要求13所述的半导体部件，其中所述第一接触部的第二相对侧壁具有倾斜形状。

15.如权利要求13所述的半导体部件，其中所述第一接触部的第二相对侧壁具有阶梯形状。

16.如权利要求15所述的半导体部件，其中所述第二接触部具有有着阶梯形状的侧壁，其中第二接触部的具有阶梯形状的侧壁面对第一接触部。

17.如权利要求15所述的半导体部件，其中所述第二接触部具有有着T形的侧壁，所述有着T形的侧壁面对第一接触部的第二相对侧壁。

18.一种半导体部件，包括：

化合物半导体材料，具有表面；

介电层，位于化合物半导体材料上方；

第一接触部，延伸通过介电层并且接触化合物半导体材料的第一部分；和

第二接触部，具有第一和第二部分，第一部分沿垂直方向延伸通过介电层并且接触化合物半导体材料的第一部分并且第二部分沿水平方向朝着第一接触部延伸。