[实用新型]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 201520512932.4 | 申请日： | 2015-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN204834594U | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 牛利刚;齐海润;于海红 | 申请（专利权）人： | 中山大洋电机股份有限公司;大洋电机新动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/13;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所(普通合伙) 44255 | 代理人： | 古冠开 |
| 地址： | 528400 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，包括底板(1)、基板(2)和功率芯片(3)，功率芯片(3)焊接安装在所述基板(2)的上表面并且功率芯片(3)与基板(2)形成电气连接，基板(2)通过焊料层(4)焊接安装在所述底板(1)的上表面，其特征在于：在焊料层(4)中若干位置设置有高熔点焊片(5)，所述的高熔点焊片(5)支承起基板(2)。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述高熔点焊片(5)是一种熔点高于焊料层(4)的熔点的焊片。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件，其特征在于：高熔点焊片(5)的数量为3－4片，3片高熔点焊片呈三角形分布或者4片高熔点焊片呈方形分布。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：高熔点焊片(5)截面为圆形或者方形。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述的焊料层(4)为低熔点焊片或者焊膏。
6.根据权利要求5所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述低熔点焊片是一种熔点低于高熔点焊片(5)的熔点的焊片。
7.根据权利要求1或2或3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述的基板(2)为绝缘覆铜基板。
8.根据权利要求1或2或3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述的芯片(3)为IGBT芯片或者MOS芯片或者FRD芯片。
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