[实用新型]非易失性存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

第一存储单元，设置于基底上，所述第一存储单元，包括：

堆叠栅极结构，包括依序设置于所述基底上的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极；

浮置栅极，设置于所述堆叠栅极结构的第一侧的侧壁，且所述浮置栅极的顶部具有转角部，所述抹除栅极包覆所述转角部；

穿隧介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；

抹除栅介电层，设置于所述抹除栅极与所述浮置栅极之间；

辅助栅介电层，设置于所述辅助栅极与所述浮置栅极之间；

源极区与漏极区，分别设置于所述堆叠栅极结构与所述浮置栅极两侧的所述基底中，其中所述源极区邻接所述浮置栅极，所述漏极区邻接所述堆叠栅极结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对；

控制栅极，设置于所述源极区与所述浮置栅极上；以及

栅间介电层，设置于所述控制栅极与所述浮置栅极之间以及所述控制栅极与所述抹除栅极之间。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

第二存储单元，设置于所述基底上，所述第二存储单元的结构与所述第一存储单元的结构相同，且所述第二存储单元与所述第一存储单元成镜像配置，共用所述源极区或所述漏极区。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一存储单元与所述第二存储单元共用所述控制栅极，且所述控制栅极填满所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的开口。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

第三存储单元，设置于所述基底上，所述第三存储单元的结构与所述第一存储单元的结构相同，共用所述源极区、所述辅助栅极、所述抹除栅极以及所述控制栅极，且所述控制栅极填满所述第一存储单元与所述第三存储单元之间。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述穿隧介电层还设置于所述控制栅极与所述源极区之间。

6.根据权利要求1项所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述辅助栅介电层的厚度大于或等于所述抹除栅介电层的厚度。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述辅助栅介电层的材质包括氧化硅-氮化硅、氧化硅-氮化硅-氧化硅或氧化硅。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述绝缘层的材质包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述栅间介电层的材质包括氧化硅-氮化硅-氧化硅或氮化硅-氧化硅或其他高介电常数的材质(k＞4)。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述穿隧介电层的材质包括氧化硅，所述穿隧介电层的厚度介于60埃至200埃之间。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述栅介电层的材质包括氧化硅，所述栅介电层的厚度小于或等于所述穿隧介电层的厚度。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述抹除栅介电层的材质包括氧化硅，所述抹除栅介电层的厚度介于100埃至180埃之间。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述转角部角度小于或等于90度。

14.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述抹除栅介电层还设置于所述抹除栅极与所述辅助栅极之间。