[实用新型]一种纳米结构PVD涂层金属切割锯片有效
| 申请号: | 201520480515.6 | 申请日: | 2015-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN204874715U | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
| 发明(设计)人: | 陈君;范玉山;乐务时 | 申请(专利权)人: | 苏州涂冠镀膜科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/22 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 结构 pvd 涂层 金属 切割 | ||
技术领域
本实用新型属于表面处理技术领域,涉及一种金属切割锯片的表面处理技术,特别是一种纳米结构PVD涂层金属切割锯片。
背景技术
锯片是用于切割固体材料的薄片圆形刀具的统称。锯片可分为用于石材切割的金刚石锯片、用于金属材料切割的高速钢锯片;用于实木、家具、人造板、铝合金、铝型材、散热器、塑料、塑钢等切割的硬质合金锯片。由于用途不同,因此锯片的材质和硬度也不相同。
金属材料的锯切通常使用的有带锯条及圆锯片。带锯条通用性好、可以锯切较大的工件,但相对于圆锯片而言,锯切的效率及切面质量远远不如后者。圆锯片金属锯切在机械加工行业应用非常广泛,为了实现低碳、环保及轻量化的目标,越来越多的高硬度、高强度材料被使用,这对圆锯片切割是一个新的挑战。而另一方面,对非常薄的管件进行锯切,且保证切口不变形,也是对圆锯片切割的一个挑战。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种使用寿命高、切割质量好的金属切割锯片。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种纳米结构PVD涂层金属切割锯片,包括呈圆形的锯片本体,其特征在于,所述本体外侧设有呈环形的切割部,所述的切割部上通过PVD真空镀膜依次形成结合层、调制层和功能层,所述的调制层和功能层交替循环5~20个周期。
结合层的目的在于在切割部与调制层和功能层之间形成过渡,提高切割部与调制层和功能层的结合力。调制层的作用是让功能层以纳米周期排列,形成纳米结构。纳米结构的目的在于降低涂层内应力增加涂层结合力,提升切割部的硬度和耐磨性,以及降低干摩擦系数。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的结合层采用Cr或Ti或其合金作为靶源轰击而成。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的调制层采用Zr、Cr、Ti或Al,或Zr、Cr、Ti和Al中的两种或两种以上合金作为靶源轰击而成。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的功能层采用Zr、Cr、Ti或Al,或Zr、Cr、Ti和Al中的两种或两种以上合金作为靶源轰击而成。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的结合层厚度为0.1-1um。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的调制层厚度为50-200nm。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的功能层厚度为100-500nm。
在上述的纳米结构PVD涂层金属切割锯片中,所述的调制层与功能层循环周期为10次。
与现有技术相比,本纳米结构PVD涂层金属切割锯片采用PVD技术在切割部外表面分别形成结合层、调制层和功能层,采用纳米涂层技术,一方面可以降低涂层应力提高涂层结合力;另一方面,通过纳米结构设计可以提高涂层致密性、硬度并降低颗粒度,从而提高涂层的性能。本实用新型在锯片表面实施金属Zr、Cr、Ti、Al等及其合金的氮化物涂层,采用纳米周期结构,在涂层中形成纳米结构相,实现涂层结合力、硬度、抗氧化问题的提高、摩擦系数的降低。
附图说明
图1是本纳米结构PVD涂层金属切割锯片的结构示意图。
图2是本纳米结构PVD涂层金属切割锯片中切割部的剖视结构示意图。
图中,1、本体;2、切割部;3、结合层;4、调制层;5、功能层。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1和图2所示,本纳米结构PVD涂层金属切割锯片,包括呈圆形的锯片本体1,所述本体外侧设有呈环形的切割部2,所述的切割部上通过PVD喷涂镀膜依次形成结合层3、调制层4和功能层5,所述的调制层和功能层交替循环10个周期。
本纳米结构PVD涂层金属切割锯片的PVD镀膜工艺如下:首先将圆锯片经过清洗烘干,安装在特制夹具上,装入真空pvd镀膜腔室中;开启pvd设备,抽真空至1.0x10-3Pa以上真空度,启动加热设备将锯片加热到工艺温度200-400摄氏度。继续抽真空到1.0x10-3Pa以上真空度,开始镀膜。
a)离子清洗:工艺条件是抽真空到1.0x10-3Pa以上真空度,通入纯度为99.999%的氩气(Ar),压力控制在1-2pa,开启电弧离子源电流控制在40-80A,开启偏压电压控制在300-1000V,占空比控制在30-50%,工艺时间20min。
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