[实用新型]用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置

说明书

技术领域

本实用新型具体涉及改善湿法刻蚀晶硅太阳电池效果的装置，尤其是一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置。

背景技术

太阳能电池是将太阳能直接转化成电能，并且在使用过程中不会产生任何有害物质，是一种环保无污染产品，因此，太阳能电池在解决能源与环境问题方面倍受青睐，有着极好的市场前景。在太阳能电池生产工艺中刻蚀能有效地去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电，从而提高电池的转换效率。目前，晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法，而湿法刻蚀能明显提高电池转换效率提高产品质量。现在湿法刻蚀的生产设备主要有：KUTTLER和RENA。但KUTTLER工艺步骤中，第一步是去除硅片表面磷硅玻璃（PSG），然后是对背面以及周边进行腐蚀去除PN结，后续还需要碱洗以及酸洗，在刻蚀过程中由于硅片表面没有磷硅玻璃（PSG）的保护，这就使酸雾对硅片表面的PN结进行腐蚀造成方阻的提升。而RENA刻蚀设备虽然在对背面以及周边进行腐蚀过程中磷硅玻璃（PSG）仍然存在，但是PSG很容易吸附酸气到上表面造成过刻易出现“黑边”，影响电池外观。

针对上述问题，专利号为201320884387.2的实用新型专利公开了一种湿法刻蚀绝缘清洗机水膜保护装置。其技术方案是：包括快速接头、水刀管路、水刀、水刀支架、单向阀，所述的水刀管路的一侧连接快速接头，快速接头外侧连接单向阀，水刀管路的另一侧连接水刀，所述水刀管路的端部设有水刀支架，通过水刀支架固定水刀管路的位置。有益效果是：在入料时通过水刀加装一层水膜，形成保护层，隔绝了酸雾与硅片表面的接触，从而保护了硅片表面的磷硅玻璃，保证了硅片出料后的方阻提升在一个可控的范围之内，有效的控制了方阻的提升，对于硅片的质量进行了有力的保障，而且隔绝了酸雾对硅片表面的影响，使整个硅片出料后的外观得到了极大地改善。但是该保护装置结构较为复杂，制作成本相对较高，无形中提高了太阳能硅片的制作成本；且水刀本身较为锋利，在使用过程中控制不当易对硅片表面造成损害，不利于成品率的提高，因此，在改善湿法刻蚀效果上还有待提高。

发明内容

实用新型目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本实用新型的目的是提供一种结构简单，且喷水膜效果好不会对硅片造成损害的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置。

技术方案：本实用新型公开了一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，包括控制电机、进水口、喷嘴，控制电机与进水口、喷嘴相连接；所述喷嘴底部交叉均匀分布有大喷水孔、小喷水孔；本实用新型结构简单，通过采用控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在硅片上表面加一层水膜，通过水膜的保护，使硅片上表面不受酸雾腐蚀，从而解决刻蚀过程中出现的“过度腐蚀”以及“黑边”问题，有效改善湿法刻蚀的效果。

所述的大喷水孔孔径为1.5-3mm。

所述的小喷水孔孔径为0.1-1.5mm。

本实用新型通过将大喷水孔、小喷水孔设为交叉分布，可保证喷洒水的均匀性及全面性，保证水膜可全部将硅片覆盖，提高喷嘴喷洒效果。

所述的喷嘴上设有喷水感应器，感应时间为5-15s。

所述的喷水感应器控制喷嘴上的大喷水孔、小喷水孔喷水，喷水时间为1-4s。

所述喷水采用的溶液为去离子水，水温为20-25℃。

所述的控制电机带速为0.1-2.5m/min。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

1．结构简单成本低：本实用新型通过采用通用的控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在硅片上表面加一层水膜，无需特殊部件，结构简单，成本低廉；

2．水膜均匀：本实用新型通过将大喷水孔、小喷水孔设为交叉分布，可保证喷洒水的均匀性及全面性，保证水膜可全部将硅片覆盖，提高喷嘴喷洒效果。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

1.控制电机、2.进水口、3.喷嘴、31.大喷水孔、32.小喷水孔、4.喷水感应器。

具体实施方式

以下结合具体的实施例对本实用新型进行详细说明，但同时说明本实用新型的保护范围并不局限于本实施例的具体范围，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。