[实用新型]用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置有效
| 申请号： | 201520472530.6 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204857672U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 静福印;孙海平;夏正月 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改善 湿法 刻蚀 效果 喷水 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：包括控制电机（1）、进水口（2）、喷嘴（3），控制电机（1）与进水口（2）、喷嘴（3）相连接；所述喷嘴（3）底部交叉均匀分布有大喷水孔（31）、小喷水孔（32）。
2.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述的大喷水孔（31）孔径为1.5-3mm。
3.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述的小喷水孔（32）孔径为0.1-1.5mm。
4.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述的喷嘴（3）上设有喷水感应器（4），感应时间为5-15s。
5.根据权利要求4所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述的喷水感应器（4）控制喷嘴（3）上的大喷水孔（31）、小喷水孔（32）喷水，喷水时间为1-4s。
6.根据权利要求5所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述喷水采用的溶液为去离子水，水温为20-25℃。
7.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于：所述的控制电机（1）带速为0.1-2.5m/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
