[实用新型]双面导光板及应用其的双面显示LED器件有效
| 申请号: | 201520459548.2 | 申请日: | 2015-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN204694878U | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
| 发明(设计)人: | 徐之际;李智 | 申请(专利权)人: | 苏州东山精密制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G02B6/00 | 分类号: | G02B6/00;G02B5/12 |
| 代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
| 地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面 导光板 应用 显示 led 器件 | ||
1.一种双面导光板,其特征在于,所述导光板包括金属片,所述金属片包括彼此相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上形成有第一LGP结构,第二表面上形成有第二LGP结构。
2.根据权利要求1所述的双面导光板,其特征在于,所述第一表面上形成有若干凹陷的第一LGP网点,第二表面上形成有若干凹陷的第二LGP网点。
3.根据权利要求2所述的双面导光板,其特征在于,所述第一LGP结构和第二LGP结构通过一体化模具在金属片的第一表面和第二表面上注塑成型。
4.根据权利要求2所述的双面导光板,其特征在于,所述第一LGP网点和第二LGP网点为向金属片内凹陷且呈椭球面的网点。
5.一种双面显示LED器件,其特征在于,所述LED器件包括双面发光LED芯片及权利要求1~4中任一项所述的双面导光板,所述双面导光板位于LED器件的旁侧,所述双面发光LED芯片包括衬底以及位于衬底上的外延结构,所述外延结构包括位于衬底上的N型半导体层、位于N型半导体层上且相互分离设置的第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层、以及分别位于第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上的第一P型半导体层和第二P型半导体层,所述N型半导体层上设置有N电极,所述第一P型半导体层和第二P型半导体层上分别设置有第一P电极和第二P电极,所述双面导光板上的第一LGP结构和第二LGP结构分别与第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层相对应。
6.根据权利要求5所述的双面显示LED器件,其特征在于,N型半导体层下方设置有缓冲层。
7.根据权利要求5所述的双面显示LED器件,其特征在于,所述第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层下方分别设有第一N型掺杂层和第二N型掺杂层,所述第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上方分别设有第一P型掺杂层和第二P型掺杂层。
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