[实用新型]真空喷雾装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及物理气相沉积技术领域，尤其涉及一种用于物理气相沉积的真空喷雾装置。

背景技术

传统的真空炉配合物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用，进而衍生到3C及电子产品。

物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术是在真空条件下，采用物理方法将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。

目前，物理气相沉积大都只在真空炉内进行，材料源在真空炉内气化形成喷雾效果在基体表面沉积。而真空炉内空间有限，材料源在其中无充分时间混合以及进行化学反应，达到的物理气相沉积效果不佳。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种提高物理气相沉积效果的真空喷雾装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种真空喷雾装置，用于物理气相沉积，其包括真空炉、以及将材料源气化形成气雾并输送至所述真空炉的喷雾气化炉，所述喷雾气化炉与所述真空炉相连接；所述喷雾气化炉内部设有供所述气雾收容并混合的气雾室。

优选地，所述喷雾气化炉包括炉体、以及将所述材料源喷进所述炉体内以形成气雾的气雾发生器；所述气雾室位于所述炉体内部，所述气雾发生器设置在所述气雾室内。

优选地，所述气雾发生器设置在所述气雾室的底部。

优选地，所述气雾发生器包括气雾喷枪。

优选地，所述喷雾气化炉还包括竖直设置在所述气雾室内的螺旋混合器，所述螺旋混合器和气雾室之间形成有供所述气雾通过的螺旋通道。

优选地，所述喷雾气化炉还包括用于将载流气体输送至所述气雾室内的进气孔，所述进气孔设置在所述炉体上并与所述气雾室连通。

优选地，所述喷雾气化炉还包括用于过滤以净化所述载流气体的空气过滤机构，所述空气过滤机构设置在所述炉体内并位于所述进气孔和气雾室之间。

优选地，所述进气孔设置在所述炉体底部。

优选地，该真空喷雾装置还包括将所述气雾从所述喷雾气化炉输送至所述真空炉的气雾管道；所述气雾管道连接在所述真空炉和喷雾气化炉之间。

优选地，所述气雾管道的两端分别连接在所述真空炉和喷雾气化炉的顶部。

实施本实用新型的有益效果：材料源先在喷雾气化炉内气化形成气雾后再输送至真空炉以完成物理气相沉积，其中气雾在喷雾气化炉内及输送至真空炉的过程中有充分的空间和时间进行混合，从而提高物理气相沉积效果。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型一实施例的真空喷雾装置的结构示意图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

如图1所示，本实用新型一实施例的真空喷雾装置，用于物理气相沉积，以在基体表面沉积形成薄膜。该真空喷雾装置包括真空炉10以及与真空炉10相连接的喷雾气化炉20，喷雾气化炉20用于将材料源气化形成气雾并输送至真空炉10，喷雾气化炉20内部设有供气雾收容并混合的气雾室201，气雾从气雾室201输送到真空炉10内并在基体上沉积形成薄膜。

该喷雾气化炉20的设置，使得材料源不需在真空炉10内气化，有利于真空炉10的简化设置。材料源先在喷雾气化炉20内气化形成气雾后再输送至真空炉10以完成物理气相沉积，可达到单纯给料、材料多样配比的效果。并且，气雾在喷雾气化炉20内及输送至真空炉10的过程中有充分的空间和时间进行混合，从而提高物理气相沉积效果。

其中，真空炉10为进行物理气相沉积的真空炉10。材料源为对应基体选用的进行物理气相沉积的材料。

喷雾气化炉20包括炉体21以及将材料源喷进炉体21内以形成气雾的气雾发生器22。气雾室201位于炉体21内部，气雾发生器22设置在气雾室201内。

在本实施例中，气雾发生器22设置在气雾室201的底部，从而材料源在气雾室201底部气化后向上行进至顶部，并从炉体21的顶部输送至真空炉10。气雾发生器22包括气雾喷枪，可设有一个或多个。