[实用新型]一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件有效
| 申请号： | 201520439604.6 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN204720457U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;李海鸥;于宗光 | 申请（专利权）人： | 无锡晶凯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214061 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemts 纵向 功率 器件 | ||
1. 一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F-的埋层区 、带负电性F-的终端区、SiN介质层、源极金属和漏极金属；其中，
所述硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层依次自下而上纵向排列，欧姆接触区与带负电性F-的栅极区并排且有间隔的设置在AlGaN外延层内，欧姆接触区的下表面、带负电性F-的栅极区的下表面均与GaN外延层接触，栅极金属设置在带负电性F-的栅极区的正上方，带负电性F-的埋层区位于GaN外延层中且紧贴GaN外延层的上表面，带负电性F-的终端区设置在GaN外延层与AlGaN外延层中且位于带负电性F-的埋层区的上表面，SiN介质层设置于AlGaN外延层、栅极金属、带负电性F-的终端区的上表面，源极金属设置在除了带负电性F-的终端区上方的SiN介质层之外的SiN介质层的上表面、欧姆接触区的上表面，漏极金属置于硅衬底的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，所述带负电性F-的埋层区位于GaN外延层中且紧贴GaN外延层的上表面，构成AlGaN/GaN异质结的背栅结构。
3.根据权利要求1所述的一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，所述GaN外延层的厚度为3~5um。
4.根据权利要求1所述的一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，所述AlGaN外延层的厚度为18~20nm。
5.根据权利要求1所述的一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，所述漏极金属的厚度为1~1.5 um。
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