[实用新型]半导体封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着半导体及电子技术的发展，半导体封装结构的厚度越来越薄，集成度越来越高。例如，部分半导体封装结构的厚度已经可以做到0.33mm。鉴于目前的半导体封装结构通常包含导线框架(或基板)、芯片(die)、引线(wire)以及注塑壳体，因此封装结构的厚度与导线框架(或基板)、芯片、引线高度和标刻深度(markingdepth)等均有关系。在这一情形下，0.33mm的半导体封装结构厚度已是目前半导体封装工艺所能做到的极限。

然而市场上仍期待电子产品，例如智能手机可进一步轻薄化，这就给半导体封装技术提出了新的挑战。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种半导体封装结构，能够使得进一步降低芯片封装结构的厚度。

本实用新型的一实施例提供一半导体封装结构，其包括：具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面的芯片，藉由引线与芯片连接的引脚，及自上遮蔽该芯片、该引脚及该引线的塑封壳体。其中该芯片的背面及该引脚的背面暴露于该塑封壳体的下表面，且该芯片的背面凹陷于该半导体封装结构内。

在一实施例中，芯片的背面的边缘为直角型、倾斜型或者阶梯型，并且芯片的背面的边缘的切割面分别与塑封壳体相接触。封装结构该半导体封装结构的厚度大于等于0.2mm小于0.33mm。

根据本实用新型实施例的半导体封装结构由于去除了导线框架的基底层而进一步降低半导体封装结构的厚度，从而可获得极薄的半导体封装结构。另外，根据本实用新型实施例的半导体封装结构所包含的芯片，如芯片的背面可暴露在半导体封装结构外，可进一步提高半导体封装结构的散热性能。

附图说明

图1-5是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构的封装方法的流程示意图；

图6是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构30的结构示意图；

图7是根据本实用新型另一实施例的半导体封装结构30的结构示意图；

图8是根据本实用新型又一实施例的半导体封装结构30的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。

鉴于电子产品日益轻薄化的趋势，业内期待更先进的半导体封装结构及其封装方法，其可进一步降低半导体封装结构的厚度，提高半导体封装结构的散热效果。根据本实用新型一实施例的半导体封装方法可实现上述目的，其包括：固化涂覆于芯片背面上的粘结剂；将芯片背面固定于导线框架上，该导线框架包含基底层及设置于基底层上的引脚；引线连接芯片与引脚；注塑而于导线框架上形成遮蔽芯片与引脚及相互间引线的塑封壳体；移除导线框架的基底层；以及移除芯片背面上的粘结剂。

具体的，图1-5演示了根据本实用新型一实施例的半导体封装结构的封装方法的流程示意图。

图1所示是根据本实用新型一实施例所要处理的晶圆11的结构示意图。如图1所示，为提高生产效率，封装前期若干芯片10(参见图2-7)可以矩阵方式排列于一晶圆11上从而可一并处理而非单独处理。在晶圆11的正面(即芯片设置电子线路的一面)上黏贴保护胶带15以防止其被划伤。然后将该晶圆11放置于高速旋转装置13上而在晶圆11背面涂覆粘结剂12。涂覆的粘结剂12可形成胶膜，其厚度约小于20um。粘结剂12为MMA(甲醛丙烯酸甲酯)与PU(聚氨酯)树脂合成的热可塑粘着材料，其是低粘度、光固化，且使用可高温溶剂移除。图2所示即是根据本实用新型一实施例的半导体封装结构封装方法在完成粘结剂12涂覆后的中间产品结构示意图。

涂覆后的粘结剂12需进一步的固化处理，例如可使用能量为75-150mW/cm紫外线照射该粘结剂12达110-150秒。如本领域技术人员所了解的也可使用烤箱烘烤的方式。