[实用新型]采用双N-MOSFET推动级的大功率IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种采用双N-MOSFET推动级的大功率IGBT驱动电路，其特征在于，包括自举电路(1)、电荷泵电路(2)、双N-MOSFET半桥推动级电路(3)和短路保护电路(4)；

其中，所述自举电路(1)包括电平自举电路、自举电容C_boot及自举二极管D1；电荷泵电路(2)包括自激振荡电路和二极管D2；双N-MOSFET半桥推动级电路(3)由上端N-MOSFET开关管S1与下端N-MOSFET开关管S2串联构成；短路保护支路(4)由电阻R_soft与N-MOSFET开关管S3构成；

电平自举电路输入为驱动控制信号，输出分别连接所述上端N-MOSFET开关管S1和下端N-MOSFET开关管S2的门极；

电荷泵电路通过二极管D2连接所述自举电容C_boot，在上端N-MOSFET开关管S1导通时给自举电容C_boot充电；

所述上端N-MOSFET开关管S1的门极与自举电路输出连接，漏极与电源V_CC连接，所述下端N-MOSFET开关管S2的门极连接自举电路输出引脚，源极连接电源V_EE，上端N-MOSFET开关管S1的源极与下端N-MOSFET开关管S2的漏极及自举电容C_boot连接，该连接点和门极电阻R_g的一端相连，门极电阻R_g的另一端连接IGBT门极，

电阻R_soft的一端与IGBT门极相连，电阻R_soft的另一端和开关管S3的漏极相连，开关管S3的源极和地相连，门极与保护控制信号相连。