[实用新型]能够执行多种处理工序的晶片处理系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片处理系统，更详细地，涉及一种既可以具有一个配置结构，又可以根据需要来执行多种处理工序，并将在生产线中所占的空间最小化来将空间效率性极大化的晶片处理系统。

背景技术

随着由微细的电线以高密度集成的方式制造，半导体元件在晶片的表面执行与此相对应的精密的研磨。为了更加精密的执行晶片的研磨，执行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工序(CMP工序)。

最近，针对一个晶片，执行多种研磨工序来控制精致的研磨层的厚度。为了执行多种研磨工序，正在提出由晶片经由多个处理平板并移动的形态的晶片处理系统。

根据韩国公开专利公报第2011-13384号，公开了晶片载体以搭载有晶片的状态沿着圆形的导轨移动，并在沿着导轨配置的多个处理平板中执行多种研磨工序的结构。但是，由于晶片载体沿着一个导轨依次移动，并执行多种研磨工序，因此，具有可在一个配置结构中执行的多种研磨工序仅仅局限于一种或局限于遗漏一部分处理平板形式的多种研磨工序的问题。

并且，根据韩国公开专利公报第2011-65464号，晶片搭载于能够旋转的圆盘传送带的头部，并由圆盘传送带一边旋转，一边依次在指定的处理平板中执行多种研磨工序。但是，这种结构也只借助圆盘传送带的旋转来指定晶片的移动路径，因此，存在可以在一个配置结构中执行的多种研磨工序仅限于一种或只能仅限于遗漏一部分处理平板的形式的多种研磨工序的界限。

另一方面，如上所述的化学机械研磨工序用于对晶片的研磨层的表面实施平坦化，因此，使用于研磨工序的研磨垫片使用聚氨酯等较为坚硬的材质。将这种平坦化处理工序称之为主研磨工序。

但是，在坚硬的材质的研磨垫片中执行的主研磨工序有可能在晶片的研磨表面引起缺陷，因此，最近在执行主研磨工序之后，在利用更低的硬度的研磨垫片上，执行相比于主研磨工序中所执行的，在更短的时间内，以更为薄的厚度进行研磨的抛光(buffing)研磨工序，从而试图将晶片的研磨面的缺陷最小化。

但是，在以没有损伤的状态对晶片的研磨面进行收尾研磨的抛光研磨工序也可以根据晶片的状态借助多种工序来执行。即，抛光工序可以根据晶片的种类或所执行的化学机械研磨工序的变数而有所不同，通常，虽然抛光工序在一个步骤中得到收尾，但也有可能发生通过两个步骤的抛光工序来对晶片的研磨面进行收尾的情况。

但是，在韩国公开专利公报第2011-13384号和韩国公开专利公报第2011-65464号所公开的利用现有的化学机械研磨系统来执行抛光工序的情况下，不仅使装备变得过度复杂，而且使之后的向清洗单元移送的过程变得复杂，并且也不会相互独立地执行研磨工序，因此，在控制研磨工序的变数方面存在界限。

实用新型内容

解决的技术问题

本实用新型是在上述的技术背景下提出的，本实用新型的目的在于，可以在特化于以晶片的研磨面没有缺陷的状态执行收尾研磨的抛光研磨工序并进行适用，并可以根据蒸镀于晶片的研磨层的种类或厚度来执行多种形态的研磨工序。

由此，本实用新型的目的在于，既能将在半导体生产线中所占的空间最小化，又能根据晶片的状态或种类来执行多种研磨工序。

并且，本实用新型的目的在于，向清洗工序移送已执行研磨工序的晶片之前，向翻转180度的翻转机移送之前先经过预清洗工序，从而防止翻转机的污染。

技术方案

为了实现上述目的，本实用新型提供晶片处理系统，包括：晶片载体，以保持晶片的状态沿着指定的第一路径和第二路径中的至少一个路径移动；第一处理平板，配置于上述第一路径上；以及第二处理平板，配置于上述第二路径上，针对借助上述晶片载体搬运的上述晶片，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上执行处理工序。

这是为了，使晶片载体沿着指定的路径移动，并在第一处理平板和第二处理平板中执行已在处理平板上指定的处理工序，由此可以连续地向处理平板供给晶片载体，从而以高的单位时间效率执行处理工序。

此时，上述晶片载体沿着循环路径移动，且上述处理平板配置于上述循环路径上。并且，通过设置沿着上述循环路径引导上述晶片载体的导轨，由此，晶片载体可以一边借助导轨来得到引导，一边在指定的循环路径移动，并执行处理工序。

上述导轨配置成闭环形态，从而以使晶片载体可以在处理平板上执行晶片的处理工序之后，重新回到原来的位置的方式进行配置。由此，可以从已在晶片载体搭载晶片的位置或其附近卸载完成处理工序的晶片，因此，可以在狭小的空间内执行在晶片载体搭载晶片或从晶片载体卸载晶片的工序。