[实用新型]一种新型引线框架有效
申请号: | 201520398897.8 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN204696107U | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 王承刚 | 申请(专利权)人: | 厦门冠通电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 方惠春 |
地址: | 361000 福建省厦门市同*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种新型引线框架。
背景技术
目前,引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。中国专利号:201520024579.5公开一种基于TO-220CE引线框架改进的新型引线框架,用以安装芯片,包括散热片及与散热片连接的引脚区,散热片包括芯片区和散热区,引脚区包括与芯片区连接的左侧引脚、未与芯片区连接的右侧引脚和中间引脚、依次连接左侧引脚、右侧引脚和中间引脚的中筋、及与中筋平行设置且依次连接左侧引脚和右侧引脚的底筋,右侧引脚的端部具有溅丝部,中间引脚自中筋朝芯片区延伸形成,中间引脚的上端部于高度方向上低于溅丝部,芯片区、散热区与TO-220CE引线框架的芯片区和散热区的尺寸相同,左侧引脚、右侧引脚所处的空间位置与TO-220CE引线框架的左侧引脚、右侧引脚所处的空间位置相同。这种引线框架通过连接部将芯片区与散热区相连,而连接部仅仅起到一个连接作用,没有其他功能。
实用新型内容
因此,针对上述的问题,本实用新型提出一种结构简单、能够方便卡接物品、功能较佳的新型引线框架。
为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:一种新型引线框架,包括散热区、芯片区、引脚区,所述散热区与芯片区之间通过连接部相连,所述引脚区包括左引脚、中引脚、右引脚,所述左引脚与右引脚的上端分别设有接线部,所述连接部上沿长度方向设有用于卡置的燕尾槽。
进一步的,所述燕尾槽的底部上设有填充物,所述填充物通过层叠的方式叠加而成。
进一步的,所述填充物为橡胶。
进一步的,所述左引脚与右引脚上靠近接线部的一端分别设有用于方便弯曲的槽。
进一步的,所述槽为V形槽,其数量为两个,间隔设置。
进一步的,所述槽的夹角为90度。
通过采用前述技术方案,本实用新型的有益效果是:本新型引线框架在连接部上设置有一燕尾槽,通过燕尾槽能够很好地对物品进行卡置,无论是安装、封装、物品连接方面都起到较好的效果;进一步的,设有橡胶填充物,利用层叠的方式,可以很好地实现卡置的作用,防止滑脱;进一步的,左引脚与右引脚上分别设有用于方便弯曲的槽,可以精确地实现弯曲部位的定位;进一步的,槽为V形槽,其数量为两个,间隔设置,可以增加弯曲的部位,而且V形槽方便于弯曲,使得弯曲更方便;进一步的,所述槽的夹角为90度,使得左引脚与右引脚的弯曲角度可以控制在90度。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是图1的侧视图;
图3是图1中A-A处的剖视图;
图4是图1中B-B处的剖视图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
参考图1至图4,本实施例提供一种新型引线框架,包括散热区1、芯片区2、引脚区3,所述散热区1与芯片区2之间通过连接部4相连,所述引脚区3包括左引脚31、中引脚32、右引脚33,所述左引脚31与右引脚33的上端分别设有接线部34,所述连接部4上沿长度方向设有用于卡置的燕尾槽41。所述燕尾槽41的底部上设有填充物42,所述填充物42通过层叠的方式叠加而成。所述填充物为橡胶。所述左引脚31与右引脚33上靠近接线部34的一端分别设有用于方便弯曲的槽35。所述槽35为V形槽,其数量为两个,间隔设置。所述槽35的夹角为90度。
本新型引线框架在连接部上设置有一燕尾槽,通过燕尾槽能够很好地对物品进行卡置,无论是安装、封装、物品连接方面都起到较好的效果;进一步的,设有橡胶填充物,利用层叠的方式,可以很好地实现卡置的作用,防止滑脱;进一步的,左引脚与右引脚上分别设有用于方便弯曲的槽,可以精确地实现弯曲部位的定位;进一步的,槽为V形槽,其数量为两个,间隔设置,可以增加弯曲的部位,而且V形槽方便于弯曲,使得弯曲更方便;进一步的,所述槽的夹角为90度,使得左引脚与右引脚的弯曲角度可以控制在90度。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。
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