[实用新型]封装基材

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶片的电路高密度封装基材，尤其是这样一种封装基材，其具有沟槽，环绕在中介层(interposer)周围，提供电路与绝缘层材料的膨胀与收缩的空间，使得封装单元(晶片安置于高密度封装基材)不会因为材料的热膨胀系数(CTE)不匹配而变形的问题。

背景技术

如图1所述，美国专利US8,269,337的截面图，包含：中介层212、电路重新分布层213、电路增层24、封装材料22、晶片27。中介层212具有导通金属210穿过中介层212。电路重新分布层(redistribution layer)213具有电路与绝缘材料，设置于中介层212上方，且电性耦合于导通金属210的上端。电路重新分布结构213与中介层212，统称为电路重新分布结构21。封装材料22包围着电路重新分布结构21周边，电路重新分布层213具有复数个上层焊垫211。电路增层24设置于封装材料22与中介层212的下方，电路增层24具有金属导线与绝缘材料，金属导线中的上端纵向金属242电性耦合至导通金属210的下端，电路增层24具有复数个下层焊垫243，锡铅球26安置在下层焊垫243下方。晶片27具有底部焊垫272，经由锡铅球271电性耦合于上层焊垫211。下方填充(underfill)材料270填充于晶片27与下方的绝缘材料之间。复数个锡铅球26，分别安置于下层焊垫243下方。中介层212具有CTE约为3ppm/K；封装材料22与下层电路分布层的绝缘材料层具有CTE约为5～15ppm/K；因此，前述晶片封装，因为CTE不匹配，会造成封装内部应力，产生裂痕而损坏整体封装产品。一个可以解决不同材料结合之间的CTE不匹配问题，亟需被开发。

实用新型内容

基于现有技艺中，晶片封装因为硅基材中介层的CTE与绝缘材料的CTE不匹配，容易因为冷缩热胀引起破裂而导致封装产品的故障，根据本实用新型的实施例，希望提供一种可以改善中介层与绝缘材料、封装材料之间不同材料间的CTE不匹配，导致晶片封装破裂问题的封装基材。

根据实施例，本实用新型提供的一种封装基材，包含电路重新分布结构、封装材料、电路增层和沟槽，其创新点在于：电路重新分布结构具有复数个上层金属垫，上层金属垫具有第一密度，适合晶片安置其上；封装材料包裹电路重新分布结构周围；电路增层设置于电路重新分布结构与封装材料的下方，电路增层具有复数个底面金属垫；底面金属垫具有第二密度；第二密度低于第一密度；沟槽包围电路重新分布结构的周围。

封装基材用以调和晶片高密度接点与外部PCB低密度接点，例如：晶片高密度接点是以微米um技术制成的产品；外部PCB的低密度接点是以毫米mm技术制成的产品。由于接点的尺寸不匹配，所以，晶片无法直接安置在外部PCB上。晶片必须先安置在封装基材上，构成晶片的封装单元。之后，电路板系统厂商，才可以订购具有晶片的封装单元，安置于电路板母板上面构成一大片电路板模组的一小部分。

本实用新型技术方案中，底面金属垫具有第二密度配合外部的印刷电路板的低接点密度，适合于一晶片安置于本实用新型的封装基材上方构成封装单元，后续将封装单元安置于外部的印刷电路板上。

相对于现有技术，本实用新型通过设立沟槽，环绕着上层电路重新分布结构周边，沟槽可以吸收两边不同材料的冷缩热胀，致使整个封装产品不会因为不同才见间的CTE不匹配所导致的破裂问题。

附图说明

图1是美国专利US8269337公开的电路高密度封装基材的截面图。

图2是根据本实用新型实施例一的封装基材的结构示意图。

图3是本实用新型实施例一的沟槽一的结构示意图。

图4是本实用新型实施例二的封装基材的结构示意图。

图5是本实用新型实施例二的沟槽二的结构示意图。

图6是本实用新型实施例三的封装基材的结构示意图。

图7是本实用新型实施例三的沟槽三的结构示意图。

图8是本实用新型的沟槽四的结构示意图。

图9是本实用新型的沟槽五的结构示意图。

图10是本实用新型的沟槽六的结构示意图。