[实用新型]一种功率控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及缓启动技术领域，尤其涉及一种功率控制电路。

背景技术

分立缓启动电路由于成本低、电路简单、可靠性高等优点，在业界热插拔电路中被广泛应用。但是，随着输入电压的不断提高，单板功率越来越大，作为缓启动电路的核心部件MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的应力也不断增加。如果超过了MOSFET的SOA(Safe operating area,安全工作区)范围，就会造成晶体管失效。

对于分立缓启动电路，在热插拔上电瞬间，MOSFET工作在线性区，DS两端承受很大的电压。由于输出负载电容的存在，在MOSFET上产生很大的功率冲击，使得MOSFET很容易进入热不稳定区，从而造成器件失效。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种功率控制电路，该电路能够限制缓启动电路上电时在N型MOSFET上产生的功率，解决上电时N型MOSFET进入热不稳定区导致失效的问题。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

根据本申请实施例的第一方面，提供一种功率控制电路，所述电路用于缓启动电路；

所述缓启动电路包括：第一电阻、N型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一电容；

其中，所述第一电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第一电阻的另一端接所述N型MOSFET的栅极；

所述N型MOSFET的源极接所述缓启动电路的第二端；所述N型MOSFET的漏极接所述缓启动电路的第三端；所述N型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第四端；

所述第一电容接在所述N型MOSFET的栅极和漏极之间；

所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第四端；

所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述N型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的减小而变大。

其中，所述功率控制电路包括：第二电阻和PNP型三极管；

所述第二电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第二电阻的另一端接所述PNP型三极管的发射极；

所述PNP型三极管的基极接所述功率控制电路的输入端，所述PNP型三极管的集电极接所述功率控制电路的输出端。

其中，所述功率控制电路的输入端接所述缓启动电路的第三端。

其中，所述功率控制电路的输入端接电压源；

所述电压源的输出电压由大变小。

其中，所述功率控制电路还包括：第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻和第四电阻串联接在所述缓启动电路的第一端和第三端之间；

所述第三电阻和第四电阻的公共端接所述PNP型三极管的基极。

其中，所述功率控制电路包括：第五电阻、NPN型三极管、第六电阻和第二电容；

其中，所述第五电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第五电阻的另一端接所述NPN型三极管的集电极；

所述第六电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第六电阻的另一端接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接所述缓启动电路的第二端；

所述第六电阻和所述第二电容的公共端接所述NPN型三极管的基极；

所述NPN型三极管的基极接所述功率控制电路的输入端，所述NPN型三极管的发射极接所述功率控制电路的输出端。

其中，所述缓启动电路还包括：二极管、第七电阻、第八电阻和第三电容；

其中，所述第七电阻的一端接所述第一电阻与所述缓启动电路的第一端相连的一端，所述第七电阻的另一端接所述第八电阻的一端；所述第八电阻的另一端接所述N型MOSFET的源极；

所述二极管的阴极接所述第七电阻和第八电阻的公共端，所述二极管的阳极接所述N型MOSFET的栅极；

所述第三电容接在所述二极管的阴极和所述N型MOSFET的源极之间。

其中，所述功率控制电路和所述缓启动电路相互独立设置；

或者，

所述功率控制电路和所述缓启动电路集成为一体。

本申请实施例中，在缓启动电路上电时，通过所述功率控制电路控制缓启动电路的N型MOSFET的漏极电流，使得N型MOSFET的漏极电流随着功率控制电路的输入电压的减小而变大。