[实用新型]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 201520348091.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN204614776U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 牛利刚;王志超;仝飞 | 申请（专利权）人： | 中山大洋电机股份有限公司;大洋电机新动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所(普通合伙) 44255 | 代理人： | 古冠开 |
| 地址： | 528400 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，包括功率芯片(1)与基板(2)，功率芯片(1)焊接安装在所述基板(2)的上表面并且功率芯片(1)与基板(2)形成电气连接，在功率芯片(1)与基板(2)焊接的地方形成焊点，其特征在于：在基板(2)上设置有若干个凹坑(20)，焊点填充在所述的凹坑(20)里面。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述的基板(2)是绝缘覆铜基板，凹坑(20)是绝缘覆铜基板上表面的覆铜层经过腐蚀后形成的。
3.根据权利要求2所述的一种功率半导体器件，其特征在于：凹坑(20)的形状为半球状或者部分球状。
4.根据权利要求2或3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：绝缘覆铜基板上表面的覆铜层上设置有多个焊接区域(21)，每个功率芯片(1)对应着1个焊接区域(21)，凹坑(20)位于焊接区域(21)的内部的4个角位处。
5.根据权利要求4所述的一种功率半导体器件，其特征在于：在焊接区域(21)的每个角位处可以设置1个或者3个大小相同或者3个大小不同的凹坑(20)。
6.根据权利要求5所述的一种功率半导体器件，其特征在于：功率芯片(1)通过焊片(3)焊接安装在所述绝缘覆铜基板上，焊点设置在焊片(3)底面的4个角位处。
7.根据权利要求1或2所述的一种功率半导体器件，其特征在于：所述的功率芯片(1)可以是IGBT芯片或者是MOS芯片或者FRD芯片。
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