[实用新型]采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器

权利要求书

1.采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于：半导体二极管作为激光泵浦源，半导体二极管输出波长为808nm，半导体二极管后面的输出端依次布置非球面透镜A 和非球面透镜B ，非球面透镜B 后面的输出端布置平面镜A ，平面镜A 后面的输出端衔接两部分结构，一个衔接Q开关，另一个衔接激光晶体；Q开关后面的输出端布置平面镜B ，激光晶体后面依次衔接全波片和平面镜C ，平面镜C 衔接三倍频非线性光学晶体，三倍频非线性光学晶体再依次衔接二倍频非线性光学晶体和平面镜D 。

2.根据权利要求1中所述的采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于所述的平面镜A 的靠近泵浦源一侧镀有808nm的增透膜，另一侧镀有808nm的增透膜和1064nm的高反膜；Q开关、激光晶体和全波片的两面均镀有1064nm的增透膜；平面镜B 的内侧镀有1064nm的高反膜，平面镜C 和平面镜D 的内侧均镀有1064nm和532nm的高反膜。

3.根据权利要求1中所述的采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于所述的二倍频非线性光学晶体两面均镀有1064nm和532nm的增透膜。

4.根据权利要求1中所述的采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于所述的二倍频非线性光学晶体可采用临界相位匹配或非临界相位匹配，可以采用双折射相位匹配或周期极化材料的准相位匹配，周期极化晶体可为PPLN、MgO:PPLN、PPSLT、PPLT、PPKTP中的一种。

5.根据权利要求1中所述的采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于所述的二倍频非线性光学晶体的类型可选自LBO、KTP。

6.根据权利要求1中所述的采用N型腔的高功率低噪声紫外激光器，其特征在于所述的三倍频非线性光学晶体可采用临界相位匹配或非临界相位匹配，根据具体的谐振腔参数，二倍频非线性倍频晶体的工作温度和切割方向、大小和尺寸有不同的变化，所述三倍频非线性光学晶体的类型可选自LBO、BBO、BIBO、CLBO、PPLN、MgO:PPLN、PPSLT、PPLT、PPKTP中的一种，所述三倍频非线性光学晶体的形状为长方体。