[实用新型]一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管

权利要求书

1.一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，包括灯管外壳(2)，所述灯管外壳(2)内置有基板(3)，其特征在于：所述基板(3)上固定有多个蓝光芯片(4)和红光芯片(5)，所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)均为倒装芯片形式，所述红光芯片(5)为双电级或单电级芯片，所述蓝光芯片的蓝光波长：440～470nm，所述红光芯片的红光波长：600～650nm。

2.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)整体通过封装工艺涂有荧光胶，或者，所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的芯片单体上喷涂有荧光胶。

3.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)的数量比例为3：1,每三个蓝光芯片(4)依次排列，每个红光芯片(5)排在每三个蓝光芯片(4)旁侧。

4.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的上表面涂有在室温下即固化的封装胶水。

5.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)包括宝石层(12)，所述宝石层(12)下表面设有n-GaN层(9)；所述n-GaN层(9)下表面分为第一接触段和第二接触段，所述第一接触段下表面设有第一P-GaN层(10)，所述第一P-GaN层(10)下表面设有第一反光层(11)，所述第一P-GaN层(10)和第一反光层(11)外包有第一绝缘层(13)，LED倒装芯片的P电极(7)位于第一绝缘层(13)下表面并与第一反光层(11)接触；

所述n-GaN层(9)的第二接触段下表面设有至少一个第二P-GaN层(14)，所述第二P-GaN层(14)下表面设有第二反光层(15)，所述第二P-GaN层(14)和第二反光层(15)外包有第二绝缘层(16)，LED倒装芯片的N电极(8)位于第二绝缘层(16)下表面并与n-GaN层(9)接触；

所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的P电极(7)、N电极(8)与基板(3)采用共晶焊方式固定。

6.根据权利要求5所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述n-GaN层的第二接触段下表面设有两个间隔设置的第二P-GaN层，各第二P-GaN层下表面均设有第二反光层，各第二P-GaN层和第二反光层外包均有第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述灯管外壳(2)内设有与基板(3)连接的驱动电源。

8.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于：所述基板长度为0.6米或0.9米或1.2米或1.5米。