[实用新型]一种用于光通信的1490纳米通带滤光片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种滤光片，特别涉及一种用于光通信的1490纳米通带滤光片。

背景技术

光通信用窄带干涉滤光片是实现波分复用的关键器件，该产品的出现使通信领域的输出信号由单路变成多路，是快速发展光通信行业中具有不可替代作用的高利润、高附加值产品。这种光通信关键元件，对中国光通信系统的国产化及其国内相关技术发展有极大的促进作用。

为了适应实际需求，窄带干涉滤光片的优化结构及其设计、分析和修正技术，实现了滤光片主膜系镀制工艺技术的突破，实现了全部镀膜材料的国产化，掌握了高致密性、低损耗膜层的制备技术和高精度实时监控技术；但是，目前的用于光通信的1490纳米通带滤光片，生产成本高，不能满足市场发展的需要。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种峰值透过率高，能极大的提高稳定性的用于光通信的1490纳米通带滤光片，以满足低成本的市场发展需求。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种用于光通信的1490纳米通带滤光片，包括：

以Bk7玻璃为原材料的基板、以交替的五氧化二钽和二氧化硅为镀膜材料的第一镀膜层、以交替的五氧化二钽和二氧化硅为镀膜材料的第二镀膜层，所述基板位于所述第一镀膜层和第二镀膜层之间；

所述第一镀膜层由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共87层，其中包括43层五氧化二钽层与44层二氧化硅层，即最内层及最外层均为五氧化二钽层，最内层的五氧化二钽层直接沉积在所述基板的一侧表面；所述第二镀膜层由内而外依次由五氧化二钽层与二氧化硅层交替沉积共30层，其中包括15层五氧化二钽层与15层二氧化硅层，即最内层为五氧化二钽层并直接沉积在所述基板的另一侧表面，最外层为二氧化硅层。

其中，所述第一镀膜层由内而外的五氧化二钽层与二氧化硅层厚度依次为：五氧化二钽层222nm、二氧化硅层221nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层509.8nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层509.8nm、五氧化二钽层174，5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层254.9nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层1019.7nm、五氧化二钽层174.5nm、二氧化硅层139.1nm、五氧化二钽层287.9nm。