[实用新型]晶片封装

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元件的封装，尤其是IC晶片的封装。

背景技术

电子元件的封装尤其是消费性与工业应用的IC晶片的封装，需要配合智慧手机、平板电脑、以及其他携带式电子产品的快速成长的需求。用以保护脆弱的IC晶片的封装基材或是晶片载体，除了提供机械稳固性以外，也需要提升电性连接的密集度。

晶片与晶片承载器(carrier)之间的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)的匹配，需要新的印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)设计技术，特别是以玻璃基材当作核心基材的状况。当电路密度愈高时，板翘、晶片破裂以及其他封装缺陷亦会逐渐浮现。当玻璃基材的厚度愈来愈薄时，金属电路层(build-up layer)的介电材料与玻璃基材之间的CTE的匹配愈形重要。

另外一个问题是晶片的切割(singulation)，因为玻璃基材比较不像聚合物基材(polymer substrate)那样容易切割，玻璃基材在切割时可能破裂，尤其是以机械切割的方式去切割玻璃时，破裂问题愈形显著。

到目前为止，发展CTE匹配的玻璃基材且不易破裂的基材作为晶片封装一直未能有效率执行，开发一种CTE匹配的玻璃基材作为晶片封装，可以有效率执行且提升良率的制程产品，是下一代的晶片封装很重要的技艺。

实用新型内容

针对现有技术中玻璃基材被切割时容易破裂的缺陷，根据本实用新型的实施例，希望提供一种制作预先切口于核心玻璃基材，切割以产出元件单元时，可以降低破裂的机率，方便有效率且良率提高的晶片封装。本实用新型中金属电路层(Bulid-up layer)制作于玻璃基材上面，提高电路密度的同时也提高整体的机械稳固性。

根据实施例，本实用新型提供的一种晶片封装，包含核心基材、至少一根纵向导通金属、上层金属电路层、复数个上层焊垫和削薄的边缘，至少一根纵向导通金属穿过核心基材；上层金属电路层埋藏于上层介电材料中，上层金属电路层以及上层介电材料设置于核心基材的上方；复数个上层焊垫设置于上层金属电路层的上方；削薄的边缘设置于核心基材的周边；核心基材的材料为玻璃、陶瓷、石英、环氧树脂玻璃纤维或填充材料聚合物。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，上层金属电路层与核心基材的对应边缘呈切齐状。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，核心基材的周边呈削薄状，削薄状的剖面呈弧状、阶梯状或楔形状。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，进一步包含晶片，晶片安置于上层焊垫的上方。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，削薄的边缘向着周边凸出于上层金属电路层边缘。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，核心基材的周边呈削薄状，削薄状的剖面呈弧状、阶梯状或楔形状。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，进一步包含封装材料，封装材料包裹削薄的边缘。

根据一个实施例，本实用新型前述晶片封装中，进一步包含晶片，晶片安置于上层焊垫的上方。

相对于现有技术，本实用新型晶片封装包含玻璃基材作为核心基材，具有至少一根纵向导通金属(through via)设置于玻璃基材中，玻璃基材核心上方的金属电路层与下方的金属电路层，藉由该纵向导通金属做电性耦合；玻璃基材周边设置成逐渐削薄(tapered)的形状，封装材料设置于逐渐削薄区的玻璃基材的周边外环，使得晶片封装外围具有圆滑边缘，避免尖锐边缘刮伤其他元件。

附图说明

图1-6是本实用新型实施例1之晶片封装的剖面图(制程的不同步骤)。

图7-11是本实用新型实施例2之晶片封装的剖面图(制程的不同步骤)。

其中：100、200为封装基材；110、210为玻璃基材(核心基材)；112、212为切割线；115、215为纵向导通金属；120a、120b为光阻层；122为削薄的边缘；125、125R、225、225R为预先切口；130、230为金属电路层；131为介电材料；132、232为焊垫；135、235为金属；140、240为抗焊材料层；142、242为焊垫；145、245为开口；149为沟槽；155为切面；180为电路板；250为焊锡球；260为封装胶体。

具体实施方式