[实用新型]集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器

权利要求书

1.一种集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，包括驱动电路，以及设置在所述驱动电路的电路模块公共地端与芯片外部地端之间的有源反接保护电路；所述驱动电路包括电压调整器、霍尔传感器、斩波放大器、比较器以及全桥输出级电路；所述电压调整器的输入端与外部输入电源相连接，其输出端分别连接至所述霍尔传感器的第一输入端、所述斩波放大器的电源端以及所述比较器的电源端；所述有源反接保护电路的输入端与所述外部输入电源连接，其输出端与所述驱动电路的电路模块公共地端相连接；

所述霍尔传感器的第二输入端与所述斩波放大器的公共端相连接，其第一输出端与所述斩波放大器的正输入端相连接，其第二输出端与所述斩波放大器的负输入端相连接；

所述比较器的负输入端与所述斩波放大器的输出端相连接，其正输入端连接有阈值电压产生电路，其公共端连接至有源反接保护电路；所述比较器的输出端与所述全桥输出器的输入端相连接，所述全桥输出器的输出端连接至风扇线圈。

2.根据权利要求1所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述有源反接保护电路包括一电阻、一齐纳二极管、一肖特基二极管和第五晶体管；所述电阻的一端连接至外部输入电源，另一端分别与所述齐纳二极管的负极端和第五晶体管的栅极相连接；所述肖特基二极管的正极端与所述齐纳二极管的正极端相连接，其负极端接芯片外部地端；所述第五晶体管的源极与所述驱动电路的电路模块公共地端相连接，其漏极接芯片外部地端。

3.根据权利要求1所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述有源反接保护电路包括一电阻、一齐纳二极管、第五晶体管和第六晶体管；所述电阻的一端连接至外部输入电源，另一端分别与所述第五晶体管的栅极相和齐纳二极管的负极端相连接；所述第六晶体管的源极分别连接至所述齐纳二极管的正极端以及第六晶体管的栅极，其漏极分别连接至芯片外部地端和第五晶体管的漏极；所述第五晶体管的源极与所述驱动电路的电路模块公共地端相连接。

4.根据权利要求2或3所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述全桥输出级电路包括第一预驱动器、第二预驱动器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第一预驱动器的输入端与所述比较器的第一输出端相连接，其输出端分别与所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极相连接；所述第二预驱动器的输入端与所述比较器的第二输出端相连接，其输出端分别与所述第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极相连接；所述第一晶体管的源极和第三晶体管的源极均连接至外部输入电源，所述第二晶体管的源极和第四晶体管的源极均连接至第五晶体管的源极；所述风扇线圈的一端分别与所述第一晶体管的漏极和第二晶体管的漏极相连接；另一端分别与所述第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极相连接。

5.根据权利要求1所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述比较器为迟滞比较器。

6.根据权利要求2所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述第五晶体管为NMOS管。

7.根据权利要求3所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述第六晶体管为NMOS管。

8.根据权利要求4所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述第一晶体管和第三晶体管为PMOS管；第二晶体管和第四晶体管为NMOS管。

9.根据权利要求2所述的集成反接保护的单线圈直流无刷风扇驱动器，其特征在于，所述肖特基二极管的反向击穿电压高于芯片的最高工作电压。