[实用新型]功率NPN型晶体管

权利要求书

1.功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征是，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，所述基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。

2.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述功率NPN型晶体管的芯片厚度为252±15μm，集电结深度为62μm，发射结的深度为18μm，所述集电区的电阻率为65?·cm。

3.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述发射区接触孔的宽为48μm，发射区接触孔上覆盖的金属化电极条的宽度为112μm。

4.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基区接触孔的宽为15μm，基区接触孔上覆盖的基区金属化电极条的宽度为45μm。

5.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基区的外围的集电区上设有高掺杂P型硅的保护环。

6.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基极电极和发射极电极设置在晶圆片的对角线上。