[实用新型]一种过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520169356.8 申请日: 2015-03-24
公开(公告)号: CN204515579U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 王剑;吴乐茂;田联房 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G05F1/571 分类号: G05F1/571
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗观祥
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及过压保护的技术领域,尤其是指一种过压保护电路。

背景技术

电子线路中,经常需要对信号电压采取限幅措施,以避免电子器件承受过高的信号电压而受到损害或不能正常工作。现有技术多采用稳压管、二极管及肖特基二极管来实现电压限幅功能,但是,稳压管及肖特基二极管的漏电流大且随温度上升而增加,因此增加了信号源的负担或者影响信号电压的精度,再者,稳压管、二极管及肖特基二极管的动态电阻都较大,通过电流较大时其阳阴极两端压降也较大,使得它们的限幅能力和限幅精度都较低。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺点,提供一种结构简单、漏电小且通过较大电流也能实现较高精度的过压保护电路。

为实现上述目的,本实用新型所提供的技术方案为:一种过压保护电路,包括信号输入端、信号处理电路、低压限幅电路、高压限幅电路,其中,所述信号输入端接有输入电阻;所述低压限幅电路包括第一限幅控制电压、第一分压电阻、第二分压电阻、第一限幅电容和NPN双极型晶体管;所述高压限幅电路包括第二限幅控制电压、第三分压电阻、第四分压电阻、第二限幅电容和PNP双极型晶体管;所述NPN双极型晶体管的发射极和PNP双极型晶体管的发射极均接在信号处理电路的输入端上;所述第一分压电阻串联于第一限幅控制电压和NPN双极型晶体管的基极之间;所述第二分压电阻与第一限幅电容并联,该第二分压电阻和第一限幅电容的一端均与NPN双极型晶体管的基极相连接;所述第二分压电阻和第一限幅电容的另一端及NPN双极型晶体管的集电极均连接在参考地上;所述第三分压电阻串联于第二限幅控制电压和PNP双极型晶体管的基极之间;所述第四分压电阻与第二限幅电容并联,该第四分压电阻和第二限幅电容的一端均与PNP双极型晶体管的基极相连接;所述第四分压电阻和第二限幅电容的另一端及PNP双极型晶体管的集电极均连接在参考地上。

所述第一限幅控制电压和第二限幅控制电压均为外部直流电压源,且第一限幅控制电压低于参考地电压,第二限幅控制电压高于参考地电压。

本实用新型与现有技术相比,其优点与有益效果是:电路结构简单,限幅精度高,可方便改变限幅电压大小。

附图说明

图1为本实用新型所述过压保护电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示,本实施例所述的过压保护电路,包括有信号输入端Vs、信号处理电路、低压限幅电路、高压限幅电路,其中,所述信号输入端Vs接有输入电阻Ri;所述低压限幅电路包括第一限幅控制电压Ve、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一限幅电容C1和NPN双极型晶体管Q1;所述高压限幅电路包括第二限幅控制电压Vc、第三分压电阻R3、第四分压电阻R4、第二限幅电容C2和PNP双极型晶体管Q2;所述NPN双极型晶体管Q1的发射极和PNP双极型晶体管Q2的发射极均接在信号处理电路的输入端Vi上;所述第一分压电阻R1串联于第一限幅控制电压Ve和NPN双极型晶体管Q1的基极之间;所述第二分压电阻R2与第一限幅电容C1并联,该第二分压电阻R2和第一限幅电容C1的一端均与NPN双极型晶体管Q1的基极相连接;所述第二分压电阻R2和第一限幅电容C1的另一端及NPN双极型晶体管Q1的集电极均连接在参考地GND上;所述第三分压电阻R3串联于第二限幅控制电压Vc和PNP双极型晶体管Q2的基极之间;所述第四分压电阻R4与第二限幅电容C2并联,该第四分压电阻R4和第二限幅电容C2的一端均与PNP双极型晶体管Q2的基极相连接;所述第四分压电阻R4和第二限幅电容C2的另一端及PNP双极型晶体管Q2的集电极均连接在参考地GND上。

此外,所述第一限幅控制电压Ve和第二限幅控制电压Vc均为外部直流电压源,且第一限幅控制电压Ve低于参考地GND电压,第二限幅控制电压Vc高于参考地GND电压。

以下为本实施例上述过压保护电路的工作原理,其具体情况如下:

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